TI, 생산성 2배 향상 제조 공정 개발

　세계 최대 휴대폰용 반도체 업체인 텍사스인스트루먼츠(TI)가 실리콘 웨이퍼 생산성을 2배로 확대할 수 있는 45나노미터 생산공정을 개발했다고 로이터통신이 12일(현지시각) 보도했다.

TI는 45나노미터 생산 공정을 통해 생산된 칩이 휴대폰 속도를 약 30%까지 끌어올리고 전력소모는 40% 줄일 수 있다고 주장했다. 이를 통해 인텔과의 경쟁에 도움이 될 것이라고 이 회사는 덧붙였다.

로이터에 따르면 이 공정을 통해 생산된 칩을 사용하면 무선 기기 사용자들이 비디오 회의를 하거나 e메일을 받는 동안 3D그래픽 게임을 즐기는 등 동시에 여러개 애플리케이션을 운용할 수 있게 된다.

TI는 또 0.24제곱μ에 불과해 기존 메모리 셀 기기보다 30%까지 작은 최소형 45나노 SRAM 메모리셀을 개발했으며 이는 인텔 제품보다 30% 가량 작다고 설명했다.

TI는 이번 45나노 공정 기술로 개발한 칩을 내년에 샘플 출하한 후 2008년 중반부터 본격 생산에 들어갈 예정이다.

전경원기자@전자신문, kwjun@