인텔, 65나노 노어 플래시 메모리 칩 출시

인텔코리아(대표 이희성)는 65㎚ 공정 기술을 사용한 1Gb 집적도의 노어 멀티 레벨 셀 (MLC) 플래시 메모리 칩을 2분기부터 출시한다고 5일 밝혔다.

　이 제품은 세계 최초로 65㎚공정을 활용한 노어 플래시 메모리로, 전화 운영관리나 개인 정보 관리(PIM)와 사진 및 음악, 동영상 저장을 위해 휴대폰 등에서 사용하기 적합하다. 인텔은 65나노 기술을 지난해 하반기부터 적용해 모바일, 데스크톱, 서버 및 임베디드 프로세서에서 적용해 판매하고 있다.

　인텔이 이번에 출시한 65나노 노어플래시 메모리 제품은 2분기 말 제조사들이 이용할 수 있을 예정이다.

　인텔측은 “이번 플래시메모리 공급으로 인텔은 휴대폰 시장에서 노어 플래시 메모리를 제공하게 됐고, 이는 인텔의 플래시 메모리 분야 리더십을 또 한번 강화하는 계기가 될 것”이라고 말했다.　

　 문보경기자@전자신문, okmun@