히타치·르네사스, P램 메모리 개발

히타치제작소와 르네사스테크놀로지가 이르면 내년말 차세대 반도체 메모리로 불리는 ‘P램(상변화메모리, Phase Change RAM)’을 생산할 계획이라고 니혼게이자이신문이 6일 보도했다.

히타치와 르네사스가 생산하는 P램은 지난 해 8월 삼성전자가 세계 최초로 개발한 64Mb P램 시제품에 비해 소비전력이 절반에 불과하고 메모리 집적화 및 구동 안정성 등 실용성이 크게 개선된 것으로 알려졌다.

이에따라 내년부터 본격적으로 열릴 전망인 P램 시장에서 현 메모리 최강국 한국과 옛 왕좌였던 일본 간의 자존심을 건 한판 승수가 불가피할 것으로 전망된다.

현재 반도체 분야에서는 D램과 플래시메모리에 이어 P램, F(Ferro-electric)램, M(Magnetic)램이 새로운 반도체 정보기억장치로 부상하고 있다. 특히 P램은 고집적 특성과 정보가 날아가지 않는 비휘발성을 모두 가지고 있어 각광받고 있다.

최근 5년 동안 P램과 M램 분야에서 특허출원 비중을 보면 한국 2%, 일본 12%, 미국 20% 점유율을 보였다. 일본과 미국이 한국에 비해 6배, 10배의 특허 출원을 한 셈이다.

특히 일본은 세이코, 소니와 같이 반도체 사업 비율이 크지 않은 기업들도 적극적으로 차세대 반도체 메모리 소자 개발에 참여하고 있다.

히타치 측은 “비록 D램에서 철수했지만 차세대 반도체 메모리 분야에서는 한국에 뒤지지 않겠다”며 “향후 활발한 특허 출원과 제품 개발에 나설 것”이라고 밝혔다.

명승욱기자@전자신문, swmay@