삼성전자, 세계최초 70나노 4기가 낸드플래시메모리 개발

　삼성전자(대표 윤종용)가 세계 최초로 70나노 공정기술을 적용한 4기가 낸드(NAND) 플래시메모리 개발에 성공했다. 70나노 공정기술은 기존 D램이나 플래시메모리 분야 뿐만 아니라 반도체 전분야를 통틀어 가장 앞선 기술로 평가된다.

　황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 29일 신라호텔에서 가진 사업전략 발표회에서 “지난해 개발한 90나노 기술보다 집적도가 2배 증가한 70나노 공정기술 개발에 성공했으며 내년말께 300mm 라인에서 4기가 낸드 플래시 제품을 양산하게 될 것”이라고 말했다.

　황 사장은 이번 70나노 플래시 개발이 반도체 저장매체 실용화 추세를 가속화, ‘디지털미디어’ 시대의 도래를 더욱 재촉함으로써 궁극적으로 메모리 카드가 디지털 및 스토리지 분야의 혁명을 주도할 것으로 전망했다.

　삼성전자는 이와함께 80나노 512메가 D램 양산기술을 확보해 낸드와 노어 플래시의 장점을 융합한 신개념의 ‘퓨전(Fusion) 메모리’도 출시했다.

　신개념 512메가 퓨전메모리는 낸드 플래시, S램 등 기존 메모리와 로직 대비 상대적으로 저렴한 메모리공정 적용 로직 회로를 하나의 칩에 구현한 제품이다. 이 제품은 현 주력공정인 0.10미크론 공정 대비 90% 이상의 생산성 향상도 가능이 가능하다. 80나노급 D램은 2005년 하반기께 양산될 예정이다.

　황사장은 “세계 메모리 반도체 수요의 PC의존도가 현재는 80% 수준이나, 메모리 응용처의 패러다임 변화가 급속히 진행되고 있어 2006년에는 커뮤니케이션, 모바일, 디지털 컨슈머시장 의존도가 PC를 추월할 것” 이라며 “삼성전자는 차별화된 제품 개발을 통해 후발업체들과의 격차를 더욱 벌여나갈 계획”이라고 강조했다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>