SOI웨이퍼 국내서도 양산

　0.13미크론(㎛) 이하 반도체공정에 본격적으로 적용될 차세대 이중실리콘(SOI:Silicon On Insulator)웨이퍼가 국내에서도 생산돼 차세대 시스템IC 반도체 개발에 큰 도움을 줄 것으로 기대된다.

　실리콘웨이퍼 전문업체 LG실트론(대표 정두호 http://www.lgsiltron.com)은 고집적, 저전력 반도체 생산을 가능하게 하는 SOI웨이퍼를 올 상반기부터 양산에 들어간다고 22일 밝혔다.

　LG실트론은 현재 이천공장에 연 1만장 규모로 100㎜·150㎜ SOI웨이퍼 전용 생산라인을 설치중이며 올 상반기 안에 양산에 들어갈 계획이다. 또 구미의 웨이퍼연구소에서 200㎜·300㎜ 웨이퍼를 개발해 올해 안에 200㎜ SOI웨이퍼의 개발을 완료할 예정이다.

　LG실트론은 지난해 100㎜ 및 150㎜ SOI웨이퍼의 개발을 마치고 그동안 생산시기를 조율해왔다.

　이 회사의 한 관계자는 “종합웨이퍼업체에서 SOI웨이퍼의 생산 및 증설을 서두르고 있으며 시장조사기관에서도 큰폭의 성장을 예측하고 있어 생산라인의 추가 확충을 검토하고 있다”며 “올해는 초기양산 규모로 시작해 품질 향상에 주력할 방침”이라고 말했다.

　SOI웨이퍼는 실리콘 기판과 트랜지스터 사이에 인위적으로 절연층을 형성시켜 형성된 고순도 실리콘 층의 효율 및 특성을 향상시켜 초미세 회로 가공을 가능하게 하는 재료. 특히 반도체 성능을 개선시켜 고집적·저전력·고속의 반도체를 요구하는 차세대 시스템IC 반도체 제작에 주로 사용될 전망이다.

　한편 가트너데이터퀘스트는 최근 발표한 시장조사 예측에서 2001년에 실리콘웨이퍼시장은 2001년 30% 감소했으나 SOI웨이퍼시장은 16% 성장했으며, 지난 95년부터 2001년까지 SOI웨이퍼 수요는 매년 20% 이상 급증, 2007년까지 50% 이상의 시장 팽창을 예상했다.

　<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>