D램 회로선폭 초미세화 가속

　D램업체들이 경쟁력 강화를 위해 회로선폭 초미세화 작업에 박차를 가하고 있다. 이에 따라 연말께면 0.10∼0.12미크론(1㎛은 100만분의 1m)급 초미세회로가 D램업계의 주력공정으로 부상할 전망이다.

　20일 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스반도체를 포함해 미국의 마이크론테크놀로지, 독일의 인피니온테크놀로지, 일본의 엘피다메모리, 대만의 난야테크놀로지 등 세계 선두권 D램업체들은 공정미세화 수준을 지난해 대비 30% 가량 끌어내려 원가경쟁력 향상에 주력할 방침이다.

　이같은 현상은 하반기 D램 수요처 확대 및 수요 용량 증가로 시장회복이 확실시되는 가운데에서도 컴포넌트당 가격은 지속적으로 하락할 수밖에 없어 향후 수익 극대화는 물론 시장지배력 강화 차원에서 원가경쟁력 향상이 시급한 과제로 떠오르고 있기 때문이다.

　삼성전자(대표 윤종용)는 지난해 10월 0.15㎛ 이상 38%, 0.13㎛ 62% 등이던 D램공정 미세화 수준을 3개월이 지난 1월 현재 0.15㎛ 이상 26%, 0.13㎛ 73%, 0.11㎛ 이하 1%로 개선했다. 이 회사는 연말까지 0.15㎛ 이상의 공정 모두를 0.11㎛급으로 개선하고 0.13㎛ 공정을 0.11㎛으로 전환하는 노력을 통해 0.13㎛ 30%, 0.11㎛ 이하 70%를 달성한다는 계획이다.

　하이닉스반도체(대표 우의제·박상호)는 최근 2년간의 설비투자 부진으로 1월 중순 현재 주력공정이 0.15㎛ 수준에 머물러 있지만 연내에 공정 미세화 등에 1조원을 상회하는 자금을 투자할 예정이다.이를 통해 0.15㎛의 블루칩 기술 외에 이미 일부 라인에 적용하고 있는 0.13㎛의 프라임칩 기술을 하반기 주력공정으로 채택하고 0.10㎛의 골든칩 기술도 일부 적용, 나노시대에 대비한다는 전략이다.

　마이크론은 올 1분기중 미세화공정 비율을 0.15㎛ 이상 40%, 0.13㎛ 55%, 0.11㎛ 5% 등의 수준으로 개선하는 한편 연말까지 0.11㎛ 이하 공정을 주력화하는 방안을 추진중이다. 또 독일 인피니온은 1분기 0.17㎛ 이상 10%, 0.14㎛ 85%, 0.12㎛ 5% 등으로 개선하는 것을 시작으로 연내에 주력공정을 0.14㎛에서 0.12㎛으로 전환하기로 했다.

　이밖에 엘피다는 이번 분기에 0.18㎛ 이상 20%, 0.15㎛ 20%, 0.13㎛ 60%를 달성한 후 연내 0.10㎛급 공정을 채택, 주력공정화할 계획이며, 난야 역시 1차로 0.18㎛ 이상 20%, 0.14㎛ 80% 전환계획을 실현한 후 연말에는 0.11㎛ 또는 0.12㎛으로 개선한다는 계획이다.

　업계 관계자는 “300㎜ 라인 초기가동에 따른 생산비 상승을 상쇄하고 연평균 40∼50%에 달하는 컴포넌트당 단가 하락률을 극복하려면 공정 추가 미세화를 통한 원가절감 노력이 반드시 필요하다”며 “올해 업계의 화두는 회로선폭 초미세화를 통한 원가경쟁력 강화가 될 것”이라고 말했다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>