D램 업체들이 휴대폰 메모리 시장으로 눈을 돌리고 있다.
EE타임스는 한국의 삼성전자, 하이닉스반도체를 비롯해 미 마이크론, 일 엘피다 등의 주요 D램 업체들이 휴대폰 메모리 시장 진출을 위해 비휘발성 메모리와 고급 패키징 기술의 확보에 안간힘을 모으고 있다고 보도했다.
이들은 그동안 일부 극소량의 S램을 휴대폰용으로 공급했으나 이보다 가격이 훨씬 저렴한 저전압 D램 또는 슈도 S램을 플래시 메모리나 디지털 베이스밴드 프로세서와 하나의 패키지로 결합시켜 소형화시킨 멀티 칩 패키지로 휴대폰용 메모리 시장을 본격적으로 공략한다는 전략이다.
이같은 움직임은 그동안 D램의 주 수요처이던 데스크톱 PC 시장이 극도로 위축되고 있는 반면 휴대폰 시장은 다양한 멀티미디어 기능과 컬러 화면의 도입으로 메모리 수요가 급증하고 있는 데 따른 것이다. 업계에서는 오는 2006년까지 데스크톱 PC 수요가 D램 시장에서 차지하는 비중이 35%선으로 떨어질 것으로 보고 있는데 불과 5년 전만 해도 데스크톱 PC의 비중은 70%에 달했다.
현재 가장 활발한 움직임을 보이고 있는 곳은 하이닉스. 이 회사의 부사장인 파라드 타브리지는 저가 휴대폰을 위해 S램 또는 슈도 S램과 플래시 메모리를 결합시킨 제품과, 고가 휴대폰을 위해 저전력 SD램과 플래시 메모리를 결합시킨 제품을 내년 하반기까지 각각 출시할 계획이라고 밝혔다. 그는 “오는 2005년이나 2006년께면 휴대폰 시장의 80%가 이같은 제품을 사용할 것”이라고 기대했다.
현재 NOR형 플래시만을 생산하고 있는 하이닉스는 저전력 D램 또는 슈도 S램을 NAND 플래시 기술과 결합시킨 제품도 내놓을 예정이다. 이와 관련, 타브리지는 “우리는 고객에게 완벽한 솔루션을 제공하는 방법을 찾고 있다”며 NAND 업체와 협력 가능성을 시사했다.
EE타임스는 하이닉스의 움직임이 올해초 일찌감치 128Mb의 SD램과 256Mb NAND 플래시 또는 32Mb Ut램을 적층시킨 멀티칩을 각각 내놓은 삼성전자에 큰 도전이 될 것이라고 분석했다.
마이크론의 대변인 역시 하나의 패키지에 다중의 메모리를 적층시킨 제품을 내놓을 계획이라고 밝혔지만 상세한 내용에 대해서는 언급을 피했다.
엘피다는 현재 저전력 SD램을 휴대폰 제조 고객사에 S램의 대체용으로 제공하고 있는데 이 회사는 플래시와 베이스밴드 프로세서 칩을 모바일 D램과 적층시키는 기술을 개발중이다. 이와 관련, 이 회사의 부사장인 짐 소가스는 “플래시 전문업체, 베이스밴드 프로세서 전문업체들과 각각 제휴 협상을 벌이고 있다”고 말했다. 이와 함께 엘피다 역시 저전력 D램과 NAND형 플래시 메모리를 결합시키는 기술확보를 위해 노력하고 있다. 소가스는 엘피다가 모 회사인 히타치의 NAND형 플래시 기술을 사용할 가능성에 대해 “아직 결정이 이뤄지지 않았으며 성공 가능성이 중요하다”고 말해 다른 업체와의 제휴 가능성도 배제하지 않았다.
업계에서는 D램 업체들의 휴대폰 시장 진출 움직임이 앞으로 더욱 두드러질 것으로 예상하고 있다. 이는 초기 시장에서 주요 휴대폰 업체들과 긴밀한 관계를 유지해야 표준 정의 단계에 참여할 수 있고 이는 향후 시장 점유율로 곧바로 이어지기 때문이다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>
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