`플래시` 대체기술 찾아라

　수년내 집적도 향상의 한계를 맞게 될 플래시 메모리를 대체하는 기술에 대한 논의가 활발히 이뤄지고 있다.

　C넷에 따르면 AMD, 모토로라, 텍사스인스트루먼츠(TI) 등 주요 플래시 업체들은 샌프란시스코에서 개최된 국제전자디바이스회의(IEDM)에서 기존 플래시 메모리 대체 기술과 관련한 논문을 집중적으로 선보였다.

　AMD는 5㎚ 굵기의 미세 배선을 사용해 데이터를 저장, 전력 소모는 줄여주고 성능은 개선시켜주는 ‘퀀텀웰(Quantum Well)’ 기술에 대한 연구 결과를 담은 논문을 내놓았다. 이 회사는 퀀텀웰이 현재 자사 제조기술의 장점을 이용할 수 있도록 해주기 때문에 이 기술을 이용하면 플래시와 같은 수준으로 집적도가 높은 메모리를 생산할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

　AMD에 따르면 이 회사는 퀀텀웰 이외에도 플라스틱 메모리, 중합체 강유전체 램(PF램), 기록 가능 CD와 M램 등을 사용하는 오보닉스 유니파이드 메모리 등을 포함한 여러 잠재적인 대안 기술을 연구하고 있으며 중합체 메모리 기술도 검토하고 있다.

　모토로라는 현재의 플래시 기술을 점진적으로 업그레이드하는 기술인 SONOS 기술에 초점을 맞춘 논문을 발표했다. 이 회사의 대변인은 “모토로라가 SONOS 기술 이외에도 자체적인 M램 연구를 진행하고 있다”고 밝혔다.

　TI도 강유전체 램(F램)을 플래시의 강력한 대체 기술로 보고 이와 관련한 논문을 소개했다.

　주요 업체들이 플래시 메모리 대체 기술에 눈을 돌리고 있는 것은 2010년 이전에 플래시 제조 공정이 물리적인 한계를 맞을 것으로 예상되기 때문이다. 현재 반도체 업계는 130㎚ 공정을 넘어 90㎚ 공정으로 이전하고 있는 상황이다. 업계에서는 오는 2006년과 2010년 이전까지 각각 65㎚와 45㎚ 공정 시대가 열릴 것이며 이 때가 되면 플래시 제조에 한계가 있을 것으로 보고 있다. 이와 관련, AMD의 부사장인 크레이그 샌더는 “플래시 구조상 45㎚ 공정에 이르면 물리적 한계가 예상된다”며 “누구도 전통 플래시 셀을 65㎚ 미만의 크기로 줄일 수 있을지 확신하지 못한다”고 말했다.

　플래시는 휴대폰, PDA, 디지털 카메라, MP3 플레이어 등 정보가전 기기에 필수적인 비휘발성 메모리로 최근 수요가 크게 늘고 있으며 자동차, TV셋톱박스, 네트워크 장비 등으로 응용범위가 점차 확대되고 있다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>