커넥선트시스템스, 초고속 실리콘게르마늄 IC 공정기술 발표

　커넥선트시스템스코리아(대표 손명원)는 실리콘게르마늄(SiGe) 공정을 이용해 200㎓급의 집적회로(IC)를 개발할 수 있는 공정기술 ‘SiGe200’을 개발했다고 10일 밝혔다.

　0.18미크론 SiGe BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정을 기반으로 한 이 기술은 스위칭 속도는 물론, 전송 주파수(Ft)와 최대 주파수(Fmax)에서 모두 실리콘 기반의 트랜지스터 중 가장 빠른 속도를 낸다고 회사측은 밝혔다.

　이에 따라 이 공정기술을 활용하면 기존 10∼80 급의 광부품을 저소음·초저전력·초고속으로 성능을 대폭 향상시킬 수 있으며 차세대 광통신 장비 개발에 적합하다는 것이 회사측 설명이다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>