갈륨비소반도체 파운드리 시장 韓-대만 선점경쟁 후끈

　실리콘(Si) 반도체 수탁생산(파운드리)에 이어 갈륨비소(GaAS) 화합물반도체 파운드리시장에서도 대만과 한국이 불꽃 튀는 접전을 벌일 전망이다.

　15일 업계에 따르면 커넥선트·모토로라·RF마이크로디바이시스 등 통신용 반도체 회사들이 시설투자 부담을 줄이기 위해 갈륨비소 반도체의 외주생산을 확대하는 가운데 이 시장을 겨냥해 나리지온·이언컴 등 국내업체들과 글로벌커뮤니케이션테크놀로지(GCT)·어드밴스드와이어리스세미컨덕터(AWSC) 등 대만업체들의 발걸음이 빨라지고 있다.

　특히 양국 업체들은 갈륨비소 부문의 순수(open) 파운드리 회사를 지향, 전문 생산설비와 공정기술을 갖추고 오는 3·4분기부터 양산에 들어갈 예정이어서 벌써부터 주문량 확보를 위한 물밑경쟁을 치열하게 펼치고 있다.

　갈륨비소 반도체 파운드리 전문업체인 나리지온(대표 조장연)은 그동안 약 500억원을 투자해 완공한 월 3000장 규모의 6인치 갈륨비소 웨이퍼 생산라인을 3·4분기부터 본격 가동, 이종접합양극성트랜지스터(HBT) 제품의 양산에 들어갈 예정이다.

　지난달 말부터 시험생산을 시작한 이 회사는 미국과 일본의 갈륨비소 전문업체 5∼6곳과 막바지 수주상담을 펼치고 있으며 9월에는 상업생산이 가능할 것으로 내다보고 있다.

　국제상사의 화합물 반도체 생산설비를 인수한 이언컴(대표 김우진)은 갈륨비소 고전자이동도트랜지스터(pHEMT)와 인듐갈륨포스파이드(InGaP)를 이용한 HBT 공정기술을 개발, 9월부터 파운드리 서비스에 나선다.

　이 회사는 이미 미국 SMDI(Standford MicroDivice Inc)와 수탁생산 계약을 체결했으며 다른 해외업체들과도 접촉중이다.

　모토로라·커넥선트와 수주상담을 벌이고 있는 대만의 GCT·AWSC·윈세미 등도 오는 3분기부터는 양산이 가능할 것으로보고 막바지 공정기술 보강에 주력하고 있다.

　대만업체들은 자국의 다양한 반도체 생산 인프라를 내세워 적기공급은 물론, 패키징 및 테스트까지 완료해 원스톱 서비스를 제공한다는 공격적인 영업활동을 펼치고 있는 것으로 알려졌다.

　지난해 6억3000만달러였던 갈륨비소 시장은 오는 2004년 16억5000만달러로 성장하고 이 중 50%가 파운드리로 생산될 것으로 예상된다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>

　

　◇세계 갈륨비소(GaAS) 파운드리 업체와 주요 기술

　국가=업체명=주요 기술

　미국=트라이퀸트=HBT·pHEMT·MESFET

　미국=GCS=HBT·pHEMT

　영국=필트로닉=pHEMT

　일본=스미토모전공=pHEMT·MESFET

　대만=GCT=HBT·pHEMT

　대만=AWSC=HBT

　한국=나리지온=HBT

　한국=이언컴=HBT·pHEMT