삼성전자, 하이닉스반도체 비메모리사업 강화

삼성전자와 하이닉스반도체가 D램 등 메모리제품 이외에 세계적으로 경쟁력을 가질 수 있는 시스템 집적회로(IC)를 전략제품으로 집중 육성하는 등 비메모리 분야의 사업화에 총력을 기울이고 있다.

12일 업계에 따르면 두회사는 비메모리 분야의 연구개발(R&D)인력을 확충, 차세대 품목을 발굴하는 한편 전용 생산라인(FAB)을 증설하고 공정기술을 개발하는 등 비메모리 분야의 경쟁력 향상에 나섰다.

삼성전자(대표 윤종용)는 블루투스 칩, 알파칩, 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT LCD) 구동 IC, 스마트카드 칩, 마이크로컨트롤러(MCU) 등 8개 품목을 비메모리 분야의 주력제품으로 정하고 제품개발 및 양산에 박차를 가하고 있다.

이 회사는 특히 기존 4개의 비메모리라인(FAB)이외에 내년 말 완공 목표로 온양공장에 시스템LSI 전용라인을 설립하기로 하고 현재 기초공사를 진행중이다. 삼성전자는 8인치 웨이퍼를 기준으로 월 3만장을 생산할 수 있는 이 라인을 통해 0.13~0.18미크론(미크론은 100만분의 1m)의 초미세공정을 적용한 시스템온칩(SoC) 제품 및 고부가 수탁생산(파운드리) 제품을 양산할 계획이다.

삼성전자는 시스템LSI 분야 매출을 지난해 18억달러에서 올해 25억달러로 늘리고 오는 2003년까지는 전체 매출의 30%까지 끌어올리기로 했다.

하이닉스반도체(대표 박종섭)는 16비트 및 32비트 MCU와 LCD 구동 IC, 상보성금속산화막반도체(CMOS) 이미지센서 등을 주력 제품으로 육성하는 한편 고주파(RF) CMOS 칩 등 차세대 스타품목을 발굴하기 위해 별도 태스크포스를 가동중이다.

이 회사는 또 최근 중국 및 국내 중소 주문형반도체(ASIC)업체들로부터 급증하고 있는 파운드리 수요를 적극 반영해 전체 비메모리사업의 60%를 점하는 주력사업으로 육성하기로 했다.

이를 위해 연구개발 및 공정인력을 보강, 시스템IC SBU인력을 현재 전체 5%에서 8%로 늘리는 한편, 경기도 이천 본사와 청주공장에 있는 5개의 비메모리공장(FAB) 이외에 8인치 웨이퍼를 생산할 수 있는 비메모리 전용 라인을 2개 더 추가할 계획이다.

하이닉스반도체는 비메모리부문의 매출을 지난해 전체 9%였던 것을 올해 17%로, 내년에는 20% 이상으로 늘릴 방침이다.

삼성과 하이닉스 관계자들은 “반도체사업이 장기적으로 경쟁력을 갖기 위해서는 고부가가치를 달성할 수 있는 비메모리 분야로 사업다각화가 필수적”이라면서 “무선통신·초고속통신망용 칩 등 차세대 제품을 개발하고 생산설비 확충과 함께 생산기술을 강화할 계획”이라고 말했다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>

<표> 삼성전자, 하이닉스반도체 비메모리 사업 계획

회사=주력품목=설비증설=예상매출액(2000/2001)

삼성전자=스마트카드 칩, 알파칩, TFT LCD 구동IC 등=5개의 전용 FAB(온양 증설중)=18억달러/25억달러

하이닉스반도체=MCU, LCD 구동IC, CMOS 이미지센서 등=7개의 전용 FAB(메모리라인 2개 변환중)=전체 9%/17%