삼성전자, 0.11미크론급 1기가 D램 상용기술 발표

삼성전자(대표 윤종용 http://www.sec.co.kr)는 최근 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI학회 심포지업에 0.11미크론급 1기가 D램 상용제품 기술을 발표, 최우수 논문으로 선정됐다고 밝혔다.

이 회사는 지난해에도 이 상을 받았으며 이번에 연거푸 수상함으로써 앞선 반도체 기술을 과시했다.

삼성전자가 이번에 상을 받은 기술은 산화알루미늄(Al₂O₃) 박막 채택과 요철개념을 적용한 신구조(PAOSS)를 캐퍼시터에 적용해 0.11미크론 가공공정에서도 1기가 D램 반도체를 생산하는 기술로 새 공정을 적용해야 한다는 기존 관념을 깨뜨린 혁신적인 기술로 인정받았다.

이 기술은 특히 사진설비와 감광액을 교체할 필요가 없어 설비투자를 최소화할 수 있으며 기가 시대를 대폭 앞당길 것으로 예상된다.

삼성전자는 또 이번 심포지엄에 △기존의 폴리실리콘(poly-Si) 전극 대신 루테늄(Ru) 전극을 사용해 기존 대비 2배 이상의 정전용량을 확보할 수 있는 4기가 이상급 D램 반도체용 신재료(Ru) 기술과 △기존 대비 20% 성능이 향상된 비메모리 반도체용 초고속 트랜지스터 소자 기술 등을 발표해 학회의 비상한 관심을 끌었다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>