S &S테크놀로지, 실리콘게르마늄 RFIC 개발

차세대 첨단 통신부품으로 주목받는 실리콘게르마늄(SiGe)을 소자로 한 이동통신단말기용 고주파집적회로(RFIC)가 국내 처음으로 개발돼 올하반기부터 본격 양산된다.

S &S테크놀로지(대표 서진원)는 최근 3년동안 30억원 이상을 들여 기존 RFIC 소자로 사용되는 갈륨비소(GaAs)를 대체할 수 있는 실리콘게르마늄 RFIC를 개발, 9월부터 생산에 들어갈 계획이라고 14일 밝혔다.

실리콘게르마늄 소자는 IBM·테믹·NEC·히타치 등 선진 외국업체들이 활발히 연구를 수행, 최근들어 일부 시제품을 선보이고 있는 첨단 화합물반도체다.

S &S테크놀로지 캐나다 연구소인 S&S네트워크시스템이 캐나다 국책연구소 NRC의 기술을 이용해 개발한 이 제품은 갈륨비소 RFIC에 비해 방열성이 3배 이상 좋고 잡음지수가 낮아 이동전화기의 통화품질 및 통화성공률을 높일 수 있다.

또 패키징 비용도 저렴해 가격경쟁력이 뛰어날 뿐만 아니라 제품크기와 전력소모가 갈륨비소 RFIC의 절반 수준에 불과하다고 S &S테크놀로지측은 설명했다.

이번에 개발한 제품은 CDMA방식의 휴대폰과 PCS에 적용할 수 있는 듀얼모드 제품으로 내수 모델과 수출용 단말기에도 적용 가능하다.

S &S테크놀로지는 현재 국내 이동통신단말기 생산업체에 샘플모델을 제공, 실리콘게르마늄 RFIC의 품질테스트를 실시하고 있으며 9월부터 연간 600만∼1000만개의 제품을 양산할 예정이다.

이 회사 서진원 사장은 『사업 첫해인 올해 200억원의 매출달성이 무난할 것으로 예상하고 있다』며 『내년 6월에는 IMT2000단말기에 적용할 수 있는 실리콘게르마늄 RFIC를 선보이는 등 생산제품을 다양화해 2002년에는 매출 1000억원을 달성할 계획』이라고 밝혔다.

<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>