인텔, 차세대플래시메모리 개발

미 인텔(http://www.intel.com)은 차세대 0.18㎛ 공정기술을 적용한 플래시메모리를 개발해 오는 9월부터 양산한다고 「세미컨덕터비즈니스뉴스」가 보도했다.

이번에 개발한 메모리칩은 6M, 32M, 64M 등 3종류로 0.25㎛ 공정기술을 사용한 기존 제품에 비해 칩 크기가 약 30% 작아졌고 양산화로 인한 저가공급을 특징으로 한다.

특히 이 제품은 외부전압스위치 및 로직 없이 고집적을 실현해 관련 부품수를 획기적으로 줄인 것으로 알려졌다.

32M 제품은 이미 샘플출하를 개시해 올 9월부터 양산에 들어가며 16M 및 64M 제품도 오는 2001년 초에는 샘플출하를 시작으로 순차적인 양산화 수순을 밟을 예정이다.

인텔은 이번 신공정기술로 인해 자사의 플래시메모리 생산능력이 전년대비 2배로 증가돼 휴대폰 단말기용 등 늘어나는 수요에 효과적으로 대응할 수 있을 것으로 기대했다.

한편 인텔은 0.18㎛ 가공기술에 향후 수년간 20억달러의 설비투자를 실시한다는 방침이다. 이를 위해 미국 생산거점인 캘리포니아 「D2」공장에 이 기술적용 라인을 도입하며 「팹23」 「팹11」공장에도 순차적으로 기술을 도입해 오는 2001년까지는 출하량의 절반 이상을 0.18미크론 채용제품으로 한다는 계획이다. <명승욱기자 swmay@etnews.co.kr>