고주파 반도체시장 "후끈"

　고주파(RF) 처리용 반도체시장경쟁이 가열될 전망이다.

　6일 관련업계에 따르면 대우전자·IBM·HP·필립스 등 국내외 반도체업체들은 1㎓ 이상의 주파수대역 신호를 처리하는 기존 BiCMOS공정의 실리콘반도체와 갈륨비소(GaAs)반도체를 대체할 수 있는 RF반도체를 속속 개발, 상품화를 서두르고 있다.

　대우전자는 벤처기업인 에이에스비와 공동으로 갈륨비소보다 열전도율이 높고 제조단가도 크게 낮출 수 있는 실리콘게르마늄(SiGe) 소재의 70㎓급 고주파처리용 반도체(SiGe HBT)를 최근 개발, 내년부터 양산할 예정이다.

　실리콘게르마늄반도체 분야 선두업체인 IBM 또한 지난해 실리콘게르마늄 소재의 저잡음증폭기(LNA)·전압제어발진기(VCO)·전력증폭기(PA) 등을 선보인 데 이어 이들 반도체를 하나의 칩에 통합한 제품을 2001년에 공급할 계획이다.

　IBM은 지멘스·내셔널세미컨덕터 등 유명 반도체업체에 실리콘게르마늄 반도체 원천기술을 제공하면서 시장확대를 주도하고 있다.

　HP는 표면탄성파(SAW)필터와 듀플렉서 등 기존 주파수 필터링 역할을 담당하는 반도체보다 크기는 6분의 1로 작으면서 성능을 개선한 새로운 RF칩 「FBAR」를 개발, 샘플공급에 나섰다.

　HP는 또 갈륨비소 소재의 이중접합양극성트랜지스터(HBT) 성능보다 10% 앞서는 「EPHEMT」를 내년부터 양산할 예정이며 IBM과 협력해 실리콘게르마늄반도체도 개발할 계획이다.

　이와 함께 아날로그디바이스는 중간주파수(IF) 과정을 제거한 새로운 아키텍처 슈퍼호모다인(Superhomodyne)에 기반한 GSM용 RF칩세트 「오델로(Othello)」를 조만간 공급할 예정이며 CDMA용 전력증폭기시장의 대부분을 장악한 커넥선트도 최근 갈륨비소 소재의 고주파 송·수신 칩을 선보이는 등 신제품이 잇따라 출시돼 시장경쟁이 한층 치열해질 전망이다.

김홍식기자 hskim@etnews.co.kr