ST마이크로일렉트로닉스는 인터유니버시티스 마이크로일렉트로닉스 센터(IMEC)와 협력해 0.35미크론 CMOS 공정을 이용한 임베디드 유전성 메모리 개발에 나설 계획이라고 밝혔다.
양측은 이에 따라 벨기에 루벤에 위치한 IMEC의 200㎜ 파일럿 웨이퍼 가공 공장과 ST마이크로의 이탈리아 칸타니아 개발센터에서 1MB 유전성 메모리를 시험 개발할 예정이다.
이들은 그 동안 반도체업계에서 주로 개발해온 PZT(ZirconateTitanate) 유전성 메모리 대신 전압 비례축소성이 탁월한 SBT(StrontioumBismuthTantalate) 유전성 메모리 개발에 나설 계획이다.
반도체업계에서는 그 동안 PZT를 이용한 유전성 반도체 개발에 주력해왔으나 전압 관리가 어려운 데다 쉽게 오염되는 플래티늄을 사용, 실제 생산화 기술에 어려움을 겪어 왔다.
ST마이크로는 SBT를 이용한 유전성 메모리 기술 개발이 끝나면 카타니아에 위치한 200㎜ 웨이퍼 가공 공장을 증설, 본격적인 양산에 나서는 동시에 이 기술을 비접촉식 스마트 카드 개발에도 활용한다는 계획이다.
함종렬기자 jyham@etnews.co.kr
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