삼성전자, 4메가 F램 세계 첫 개발

　삼성전자(대표 윤종용)가 차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 강유전체 메모리 반도체(F램:Ferroelectric RAM) 제품 중 최대 용량인 4M F램을 세계 처음으로 개발했다고 21일 밝혔다.

　F램은 현재 미국의 램트론사를 비롯해 일본의 롬·마쓰시타·도시바 등 선진 반도체업체들이 치열한 개발 경쟁을 벌이고 있으나 256k 용량의 제품만이 상용화돼 있으며 메가급 제품 개발에 성공한 것은 삼성전자가 처음이다.

　F램은 D램의 고용량 데이터 저장 기능과 S램의 고속동작 기능, 플래시 메모리 반도체의 불휘발성 등의 장점을 고루 갖춰 차세대 반도체의 선두주자로 떠오르고 있는 미래형 반도체다.

　F램은 뛰어난 성능에도 불구하고 제품 용량 확대의 기술적인 어려움으로 소용량 제품만이 상용화돼 게임기 등 적용 분야가 극히 제한적이었다.

　F램 반도체 개발에 최대 걸림돌인 대용량화 기술을 확보, 처음으로 4M F램 제품 개발에 성공함으로써 삼성전자는 F램 개발 경쟁에서 구미나 일본 업체에 비해 2년 이상 앞서 나갈 수 있을 것으로 판단하고 있다.

　이번에 개발한 제품은 3.3V의 동작전압과 저소비전력, 75ns(1나노초는 10억분의 1초)의 고속동작 제품이다. 특히 칩의 고집적화를 위해 1T/1C(1개의 트랜지스터에 1개의 커패시터 구조)의 메모리 셀 구조와 신개념의 회로설계기술인 COB(Capacitor Over Bitline), 이중 금속 배선 공정을 적용해 크기를 기존의 절반으로 축소했으며 처리속도와 데이터 처리의 안정성을 대폭 강화했다.

　삼성전자는 올해 말까지 4M F램의 엔지니어링 샘플 개발을 완료해 이동전화·개인정보단말기(PDA)·스마트폰·스마트카드 등의 시장을 본격 공략할 방침이다.

　한편 F램은 올해부터 휴대형 정보기기나 멀티미디어 기기를 중심으로 기존 S램이나 플래시 메모리를 대체할 것으로 예상되며 2000년 30억 달러, 2005년에는 150억 달러 규모의 시장을 형성할 것으로 전망된다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>