삼성전자, 256MD램 라인 추가 신설 검토

　세계 1위의 메모리반도체업체인 삼성전자(대표 윤종용)가 256MD램 양산라인인 9라인을 올 하반기부터 본격 가동하는 데 이어 내년 초에 또다른 256MD램 생산라인의 건설을 적극 검토중인 것으로 알려졌다.

　특히 이번 삼성전자의 256

MD램 라인 확충 계획은 현재 주력 메모리인 64MD램을 조기에 256MD램 체제로 전환시키겠다는 강력한 포석으로 분석돼 세계 메모리반도체업계에 엄청난 파장을 부를 전망이다.

　6일 관련업계에 따르면 삼성전자는 최근 장비설치 작업중인 9라인에 이어 내년에 256MD램 전용 생산라인을 추가 건설할 계획인 것으로 전해졌다.

　새로 건설할 256MD램 생산라인은 64∼256MD램 생산을 병행하는 9라인과는 달리 193나노미터 파장을 이용하는 최첨단 리소그래피시스템을 도입, 256MD램 이상의 제품을 생산하는 형태가 될 것으로 알려졌다. 이와 관련, 삼성전자는 최근 투자금액 등 구체적인 사업계획을 입안중인 것으로 전해졌다.

　현재 삼성전자는 기존 64MD램 라인에서 256MD램을 소량 생산하고 있으며 0.18㎛공정의 9라인이 완공되는 올 하반기부터 본격적인 256MD램 양산을 시작할 계획이다.

　이같은 추가 생산라인 건설 계획이 성사될 경우 삼성전자는 64MD램에 이어 256MD램 시장에서도 막강한 지배력을 갖추게 될 전망이다.

　이번 삼성전자의 256MD램 생산라인 추가 건설 계획은 현재 주력 제품인 64MD램 시장이 미 마이크론사와 일본의 NEC사 등 외국 경쟁업체들의 대대적인 생산량 확대로 급격한 가격하락 현상을 보이고 있다는 판단에 따른 것으로 분석된다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>