고속 싱크로너스 D램시장 선점 경쟁

국내외 반도체업체들의 고속 싱크로너스 D램 시장선점 경쟁이 치열하게 전개되고 있다.

21일 관련업계에 따르면 최근 LG반도체가 1백33㎒의 데이터 처리속도를 갖는 세계 최고속의 16M 싱크로너스 D램(SD램)을 발표한 데 이어 삼성전자, 현대전자, 일본 NEC, 히타치, 미국 마이크론 등도 1백㎒급 이상의 고속 D램 개발에 성공했거나 개발을 앞두고 있는 것으로 알려졌다.

이처럼 반도체업체들이 고속 D램 개발에 박차를 가하는 것은 인텔이 내년초 선보일 예정인 2세대 펜티엄Ⅱ 프로세서인 데슈츠에 1백㎒의 고속 버스(일명 PC 100플랫폼)를 채용키로 함에 따라 고속 D램 수요가 전체 D램 시장의 50% 정도까지 차지할 정도로 급성장이 예상되기 때문이다.

현재 펜티엄 이상의 PC 플랫폼에서는 66㎒의 처리속도를 갖는 PCI버스가 적용되고 있는 반면 CPU의 성능은 최고 3백㎒에 도달하고 있어 CPU와 버스의 처리속도 차이로 인한 병목현상 때문에 CPU성능이 제대로 발휘되지 못하는 것으로 지적되고 있다.

이에 따라 인텔, AMD 등 CPU 생산업체들은 내년부터 1백㎒의 버스속도를 지원하는 새로운 PC 플랫폼을 선보이고 버스속도를 지원할 수 있는 고속 D램 채용계획을 최근 잇따라 밝혔다.

이같은 CPU업체들의 움직임에 따라 메모리 주력제품도 EDO램에서 일반 SD램으로, 그리고 내년에는 고속 SD램으로 급속하게 옮겨갈 전망인데 업체별로 주력제품 선정 및 이의 조기양산화 싸움이 치열해지고 있다.

LG반도체는 최근 현존 SD램 중에서 데이터 처리속도가 가장 빠른 1백33㎒ SD램을 발표해 양산에 나선다고 밝혔다. 이번 제품은 0.26미크론의 공정기술을 적용한 5세대 제품으로 칩 크기를 37%가량 줄이고 웨이퍼 1장당 생산량도 60% 이상 증가시켜 가격경쟁력도 갖췄으며 특히 액세스 시간을 크게 줄여 전체 동작속도가 현존하는 제품 중 가장 빠르다고 주장했다.

삼성전자는 이미 0.3미크론 기술을 이용해 1백43㎒의 7나노초급 제품을 개발해 샘플을 공급중이며 내년부터는 0.23미크론 기술을 채용하고 액세스시간을 단축한 제품을 내놓을 계획인데 양산기술을 앞세워 98년 2‘4분기부터 시장선점에 나설 방침이다.

현대전자도 최근 1백20㎒와 1백33㎒ 제품 개발을 완료하고 내년 2‘4분기까지 0.28미크론 기술을 적용한 제품 양산에 나선다는 전략아래 수율 높이기에 주력하고 있다.

이밖에 미국의 마이크론사도 98년초부터 1백25㎒의 데이터 처리속도를 갖는 고속 SD램을 양산한다는 계획이며, 일본 NEC와 히타치도 1백43㎒급의 제품 개발을 완료하고 내년 2‘4분기부터 고속 SD램 시장공략에 본격 나설 방침이다.

<김경묵·유형준 기자>