日 후지쯔, 64MD램·플래시메모리 대폭 증산

일본 후지쯔가 싱크로너스형 64MD램과 플래시메모리를 대폭 증산한다. 일본 「電波新聞」에 따르면 후지쯔는 미국의 D램 생산거점인 그래셤공장과 일본의 플래시메모리 생산거점인 미국 AMD와의 합작사 FASL에 추가로 도입하고 있는 새 생산라인을 오는 10월부터 본격 가동할 예정이다.

후지쯔는 이를 통해 자사의 64MD램 생산능력을 현재의 5배인 월 3백만개로, 플래시메모리 생산능력도 4M 기준으로 현재의 1.5배인 월 1천2백만개로 끌어 올린다는 방침이다.

후지쯔는 그동안 메모리사업을 D램과 플래시메모리로 특화시켜 진행해왔다. 특히 D램 사업에서는 MPU와의 데이터 교환속도를 높이는 싱크로너스형에 주력, 현재 모든 64MD램을 싱크로너스형으로 생산하고 있다.

후지쯔는 현재 이와테공장을 중심으로 64MD램을 월 50만개 규모 생산하고 있으나 그래셤공장의 0.3미크론급 64MD램 생산라인이 풀가동되는 내년 3월에는 월 2백50만개∼3백만개의 생산체제를 갖추게 된다.

후지쯔는 또 플래시메모리 증산을 위해 FASL에 0.35미크론 미세가공설비를 도입, 단일전원, 저전압작동을 특징으로 하는 2∼16M의 다양한 제품을 생산한다.후지쯔는 이를 위한 장비도입은 끝마친 상태이며 올해 말부터 본격 양산에 나설 예정이다.

이 라인이 풀가동되는 내년 3월 FASL의 총 생산능력은 현재 월 9백만개에서 월 1천2백만개로 확대된다.

<심규호 기자>