日 후지쯔, 플레시메모리 생산에 400억엔 투입

일본 후지쯔가 플래시메모리 생산에 약 4백억엔을 투자하는 등 올해 반도체 반도체 사업을 강화한다.

후지쯔는 올해 사업계획을 발표하면서 올해 설비투자비로 미 그래셤공장에 4백억엔, 미에공장에 1백40억엔엔, 플래시메모리 생산에 4백억엔을각각 투입할 계획이라고 밝혔다.

후지쯔는 올해 총 반도체 생산액을 지난해보다 18.2% 증가한 6천5백억엔으로 책정했으며, 이 가운데 메모리 생산 비율은 전년대비 4% 늘린 37%로 계획하고 있다.

D램 생산과 관련해서는 올해말까지 16MD램을 7백만개, 64MD램을 2백만개 생산할 방침이다.

<심규호 기자>