현대전자, 실리콘 2중막 웨이퍼 기술 이용 1기가 SD램 개발

현대전자(대표 정몽헌)는 세계 최초로 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI:Silicon on Insulator)를 이용한 1기가 싱크로너스 D램 개발에 성공했다고 12일 발표했다.

현대가 95년7월부터 1백70명의 연구인력과 5백50억원을 투자해 개발한 이 제품은 0.17미크론의 초정밀 공정기술을 사용해 성냥갑 3분의 1 크기인 6백90제곱밀리미터의 칩속에 신문 8천장 분량의 정보를 저장할 수 있다. 이 제품은 0.4미크론 두께의 실리콘 절연막 위에 다시 실리콘 박막을 형성시킨 SOI웨이퍼를 이용,1.8∼2.2V의 저전압 동작과 5나노초의 초고속 데이터 처리를 실현,기존방식의 1기가 싱크로너스 D램보다 20% 이상의 성능향상이 가능하다고 현대측은 밝혔다.

현대측은 SOI공정기술은 일본 및 미국에서도 기가급 반도체 개발을 위해 활발한 연구가 진행중이며 1기가 D램에 SOI웨이퍼를 이용한 것은 이번이 처음이라고 주장했다.

현대는 1기가 싱크로너스 D램 개발을 위해 SOI의 기술적 난제인 소자의 몸체 무접촉(Body Floating)문제를 필드산화막 두께를 조절해 기판을 전기적으로 연결함으로써 오동작을 해결했다고 설명했다.

김영환 사장은 『지난 96년7월 SOI 64MD램 개발에 이어 이번 1기가 제품 개발로 메모리기술력의 최정상임을 입증했다』고 말하고 『특히 이 SOI기술은 저전압과 고속화 실현의 가장 적합한 기술로 향후 멀티미디어 제품에 채용확대가 기대된다』고 설명했다.

현대는 이번에 자체 개발한 SOI기술을 기가급 메모리 개발은 물론 고속메모리소자와 복합반도체(MML) 등에도 적용해나갈 계획이다.

2003년께 본격적인 시장형성이 예상되는 1기가 D램은 컴퓨터 및 고성능 워크스테이션의 주기억장치에 주로 사용되며 멀티미디어 제품과 HDTV,위성통신 등 다양한 분야로 채용이 확대될 것으로 전망된다.

<김경묵 기자>