현대전자, 비메모리-메모리 통합 반도체 `EDL` 개발

현대전자(대표 정몽헌)는 비메모리 반도체와 메모리 반도체를 통합한 EDL(Embeded DRAM in Logic)을 개발했다고 4일 발표했다.

미국 현지법인인 심비오스로직社와 공동개발한 로직기술에 EDL기술을 접목한 이 제품은 3.3V의 전압에서 동작하고 0.5미크론급 기존 복합반도체보다 한 세대 이상 앞선 최소 회로선폭 0.35미크론급 3층 금속선 CMOS기술을 채용했다.

이 제품은 연산, 기억, 전송, 변환 등의 기능을 갖춘 비메모리 로직과 4MD램 메모리를 단일 칩에 구성함으로써 처리속도 및 시스템 성능을 향상시키고 생산비도 대폭 절감시켰다고 현대측은 밝혔다.

현대전자 시스템IC사업부의 황기수 상무는 『로직에 D램을 이식할 경우 제품크기가 확대되는 등의 단점을 극복하기 위해 고에너지 이온주입, 쌍극성 게이트, 자기정합 실리사이드, 화학적, 기계적 폴리싱, 텅스턴 매립 등 최신의 첨단 비메모리 제조기술을 사용했다』며 이를 통해 로직의 성능을 유지하면서 D램의 장점을 그대로 이식할 수 있어 제품의 고밀도화가 가능해 경제적이고 제품개발 기간도 크게 단축할 수 있다고 설명했다.

현대전자는 2∼12MD램 메모리까지 적용가능한 이 EDL기술을 이용, 연내에 하드디스크 드라이브 컨트롤러, CD롬 드라이브 컨트롤러, 그래픽 컨트롤러 등에 이용될 비메모리 반도체를 생산할 계획이다.

또한 이번 0.35미크론급 EDL을 개발함으로써 2000년에 30억달러 이상의 시장형성이 예상되는 고부가가치의 새로운 비메모리 응용분야에서 세계적인 기술력을 확보해 시장을 선점할 수 있을 것으로 보고 향후 0.25미크론급 EDL을 개발, 세계적인 경쟁력을 갖춰 나갈 방침이다.

<김경묵 기자>