日후지쯔, 美AMD와 4M플래시메모리 공동개발

일본 후지쯔가 미국 어드밴스트 마이크로 디바이시스(AMD)社와 공동으로 3V 단일전원의 4Mb 플래시메모리를 개발했다고 6일 「日本經濟新聞」이 보도했다.

이번 4Mb 플래시메모리 공동개발은 지난 1월 개발한 8Mb 제품에 이은 것으로 양사는 올해 2Mb와 16Mb 제품을 추가로 개발, 공급에 나설 계획이다.

이 플래시메모리는 데이터의 읽기 외에 소거와 쓰기도 최저 2.7V에서 작동이 가능하며 접속시간은 1백∼1백50정도다.

후지쯔는 월 15만개 판매를 목표로 6월부터 양산에 들어갈 계획이며 현재샘플가격은 개당 1천8백엔이다.

〈박주용 기자〉