일, 반도체 신기술 속속 개발

NEC, 미쓰비시등 일본의 주요 반도체업체들이 메모리관련 신기술 및 신제품을 잇따라 개발, 국제고체소자회로회의(ISSCC)에서 보고한다.

"일본경제신문"등 외신에 따르면 NEC는 고기능 기억소자로 주목받고 있는불휘발성 메모리(Fe램)의 1M비트 칩 시제품을, 히타치와 미쓰비시전기는 공동으로 64M비트 플래시메모리를 개발했다고 지난 8일 각각 발표했다. 미쓰비시는 또 독자적으로 처리속도가 세계 최고속인 1GD램을 개발했다고 발표했다.

이들 신기술 및 시제품은 모두 현재 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 ISSCC에서 10일 보고하게 된다.

M비트급의 Fe램을 개발한 것은 이번이 세계 최초로 NEC는 이의 시제품을3년후에 제품화, PC등에 사용되는 D램을 순차적으로 대체해 나갈 계획이라고밝혔다.

Fe램은 고속이면서 값싼 D램과 속도는 늦지만 전원이 끊겨도 데이터가 손실되지 않는 불휘발성의 플래시메모리의 장점을 겸비한 메모리로 집적도 향상이 과제인데 NEC는 이번 1M급 시제품에 저전압에서도 작동하는 새 재료를사용, 구조를 D램과 거의 같은 수준으로 단순화시켰다.

이 1M칩은 3.3V의 전압에서 정보의 읽기속도가 60나노초로 고속동작이 가능하며 이 기술로 기존 D램과 같은 16M칩까지 용량을 끌어올릴 수 있는 길이열렸다고 NEC측은 강조했다.

히타치와 미쓰비시가 개발한 64M비트 플래시메모리는 히타치가 개발한 AND형으로 종래의 NOR형과 NAND형의 특징을 모두 살려 고집적도로 고속액세스를가능케 한 것으로 알려지고 있다.

히타치는 6월, 미쓰비시는 9월부터 각각 샘플출하할 계획이다.

64M비트 AND형은 비트선을 주비트와 부비트로 나눠 설정하는 계층구조를가지며 메모리셀은 부비트선에 병렬로 접속한다. 5백12B의 소단위로 데이터를소거할 수 있고 3.3V 단일전원에서 읽기속도는 50나노초다. 이는 외부기억장치로서 하드디스크를 대체하거나 메모리카드로 이용될 것으로 기대하고 있다. 미쓰비시와 히타치 양사는 미쓰비시가 개발한 DINOR형 16M비트 플래시메모리의 공동개발도 추진하고 있다.

미쓰비시가 개발한 1GD램은 음성이나 동화상등 대량의 정보를 고속으로 처리하는 게 특징으로 2001년경 제품화할 예정이다.

이 제품은 제어신호에 맞춰 데이터를 출력하는 동기식 D램으로 설계를 개량, 초당 1.6M비트의 데이터를 전송할 수 있도록 했다. 지금까지 개발된 1GD램시제품의 데이터전송속도는 최고가 1GB. 현재 세계 각국 업체들은 1GD램의고속화기술을 놓고 경쟁을 벌이고 있다. 〈신기성기자〉