정부, 삼성.현대 미국내 반도체 투자 허가

정부는 2일 해외투자심의위원회를 열어 삼성전자와 현대전자가 신청한 미국내 반도체투자사업을 허가했다.

이에 따라 삼성전자는 텍사스주에 13억달러, 현대전자는 오리건주에 13억2 천4백만달러를 올해부터 98년까지 각각 투자, 기억형 반도체 생산공장을 설립한 뒤 오는 98년부터 본격적으로 현지생산하게 된다.

이번 투자로 삼성전자와 현대전자는 오는 2000년 기준으로 64MD램을 각각 연간 4천만개와 2천만개, 16MD램은 각각 2천만개와 4천5백만개를 미국에서 양산하는 체제를 갖추게 된다.

삼성전자는 자기자금 7천8백만달러와 기존 미국현지법인(SSI사)의 이익유 보금 3억1천2백만달러를 투자하고 삼성전자 본사의 지급보증으로 6억5천만달 러, 신설되는 회사(SSA사)의 자체신용으로 2억6천만달러를 각각 현지에서 자 입하기로 했다.

또 현대전자는 자기자금 1억6천만달러와 현대전자 미국 현지법인(HEA사)의 자기자금 4천만달러를 투자하고 현대전자 본사의 지급보증으로 2억달러, 신설되는 회사(HSA사)의 자체신용으로 9억2천4백만달러를 각각 현지에서 자입 한다는 계획이다.

정부는 이와 함께 대우전자가 멕시코에 1천3백만달러를 들여 현지 가전사 업에 투자하려는 계획도 곧 허가할 방침이다.