반도체업체들이 에피텍셜(Epita.ial)웨이퍼(에피웨이퍼)의 사용이 크게 늘어남에 따라 관련 설비를 크게 확충하고 있다.
9일 관련업계에 따르면 삼성전자.LG반도체.현대전자.한국전자 등 반도체업체는 그간 일반 마이크로 제품과 바이폴러IC 등에 한정해온 에피웨이퍼의 사용을 주문형반도체(ASIC)는 물론, 고속 S램 등 고속을 요하는 메모리제품 분야에까지 확대한다는 방침아래 관련설비를 대거 확충하고 있다.
삼성전자는 에피웨이퍼 수요확대에 대응、 올초 온양공장에 에피 성장라인 을구축하고 핵심설비인 리액터를 18대 규모로 크게 보강했다. 삼성은 온양공장에서 성장시킨 에피웨이퍼를 부천공장에 공급、 트랜지스터.리니어IC.MOSF ET(MOS형 전계효과TR)등의 60% 이상을 생산해 왔는데 향후 수요확대에 대비 에피 가공설비를 지속적으로 확충해 나갈 계획이다. 또 고속 S램 등 메모리분야에도 채용을 확대하기 위해 6인치 이상의 대구경 에피웨이퍼도 개발 중이다. 현재 구미공장에서 생산되는 파워TR과 바이폴러IC의 60%이상에 에피웨이퍼를 사용중인 한국전자는 공정축소에 따른 원가절감과 제품특성 제고를 위해에피웨이퍼의 채용을 확대한다는 방침을 세우고 현재 4대수준의 리액터 설비를 내년 초까지 8대로 증설할 계획이다.
LG반도체는 구미공장에서 일반 바이폴러 제품용으로 에피웨이퍼의 사용량 이꾸준히 늘고 있고 최근에는 고속메모리와 고체촬상소자(CCD)에도 채용이 확대되고 있는데 따라 현재 4대의 에피 리액터를 내년에는 2배로 늘릴 계획 에있다. 바이폴러 제품생산이 상대적으로 미약해 그동안 에피웨이퍼를 거의 사용하지않았던 현대전자도 고속메모리와 ASIC제품 생산효율측면에서 에피웨이퍼사용이 필요하다고 판단、 빠르면 연내에 에피 성장라인을 구축할 방침이다.
소자업체들이 이처럼 에피 성장 시설을 확충하고 있는 것은 주수요처인 마 이크로제품 시장이 계속 확대되고 있는데다 뛰어난 전기적 특성과 생산성으로MOS제품을 제외한 전 분야로 에피웨이퍼의 채용이 확대되고 있는데 따른것으로 풀이된다. 특히 상당수 소자업체가 고속 S램은 물론 2백56MD램이나 1GD램 등의 생산성 및 특성 제고를 위해, 대구경 웨이퍼의 경우 일반 실리콘 웨이퍼 보다는 에피웨이퍼의 사용을 적극 고려하고 있어 향후 수요는 한층 늘어날 전망이다.
일반 실리콘웨이퍼에 또 하나의 특정물질 단결정 박막을 적층.성장시킨 에피웨이퍼는 수직구조의 바이폴러 제품에 적합한 특성을 갖고 있으며 최근들 어서는 고내압을 요하지 않는 MOS제품에까지 채용이 확대되고 있다.
<김경묵기자>
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