미 LSI, 칩제조 새 기술 개발

미국의 반도체업체인 LSI로직사가 칩제조기술을 크게 향상시킨 새로운 칩 집적 기술을 개발했다.

미 "월스트리트 저널"지의 최근 보도에 따르면 LSI 로직은 하나의 칩에 4천9백만개의 트랜지스터를 집적시킬 수 있는 제조술인 "G10"을 개발했다는 것이다. LSI 로직은 회로선폭 0.25기술을 사용하는 G10이 컴퓨터、 통신기기、 가전등과 같은 제품에 탑재되는 주문형 반도체를 제조하는데 주로 사용될 것이라고 말했다.

이에따라 G10은 멀티미디어 컴퓨팅과 통신기능을 갖는 첨단칩 생산에 크게도움을 줄 수 있을 것이라고 회사측이 말했다. <박상우 기자>