삼성전자, SOI 16MD램 시제품 세계 최초 개발 성공

삼성전자(대표 김광호)는 최근 차세대 소자인 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI)를 이용한 16MD램 시제품을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다고 24일 밝혔다.

차세대 반도체 기술로 각광받고 있는 SOI(S-ilicon On Insulator)기술은 제품의 고집적화와 저전압화가 가능해 향후 2백56MD램과 1기가D램 등 차세대 메모리 반도체의 핵심기술로 손꼽힌다.

삼성전자는이번 SOI기술을 이용한 16MD램의 완전동작이 가능한 시제품을 세계 최초로 개발하고 관련 특허 20건을 국내외에 출원했다.

이번에 삼성전자가 SOI기술로 개발한 16MD램이 상품화되면 기존제품에 비해 사용면적과 사용전압.동작속도 등에서 경쟁력을 확보、 각종 멀티미디어 기기를 포함한 차세대 전자기기에 폭넓게 사용될 것으로 보인다.

삼성전자는오는 6월 일본에서 열리는 세계적인 반도체 학술대회인 초고집적회로 VLSI 심포지엄 에서 SOI기술과 16MD램 칩을 발표할 예정이다.

SOI기술은 일본 및 미국의 선진 반도체업계에서도 기가급의 차세대 고집적 메모리 제품을 개발하기 위해 활발히 연구개발을 진행하고 있는 소재로, 전세계적으로 완전동작하는 시제품은 지금까지 2백56KD램에 그쳤다.

SOI는4천에서 5천%(1%은 1억분의1m)의 실리콘 절연막 위에 다시 1천에서2 천% 정도의 실리콘 박막을 형성시킨 웨이퍼를 사용、 기존의 실리콘 웨이퍼 보다 간단한 구조의 고집적 메모리 제품을 개발할 수 있는 기술이다.

이 기술은 또한 축적 용량을 3분의1 수준으로 낮출 수 있어 고집적화가 가능해 기가급 이상의 초고집적 제품개발에 필수적인 기술로 알려졌다.

이기술을 사용할 경우 사용전압을 1.5V까지 낮출 수 있어 사용전압의 효율 화가 필요한 각종 휴대형 정보기기뿐 아니라 메모리 및 비메모리 반도체 전반에 걸쳐 저전압화 및 고속화 실현을 위해 폭넓게 사용될 것으로 예상된다.

<이경동기자>