일 미쓰비시, 1.2V 저전압회로 개발

일본 미쓰비시전기가 기가급 D램에 적용할 수 있는 1.2V의 저전압회로기술을개발했다고 일본 "전파신문"이 보도했다.

이 회로기술은 D램의 저전압화에서 과제였던 트랜지스터의 한계전압、 데이 터보존시 서브슬렉셜드전류의 증대를 새로운 레벨제어형 계층전원구성으로 억제하고 전하전송웰센서방식으로 센스병합을 확보해 음전압워드선방식으로리프렉슈특성의 저하를 방지한다.

미쓰비시는 이 회로기술을 토대로 0.4미크론의 상보성 금속산화막 반도체(CM OS)프로세서로 16MD램를 시작、 1.2V의 저전압에서 액세스시간 49나노초의고속동작을 확인했다.

이같은 성과는 지난주 미국샌프란시스코에서 열린 국제고체회로회의(ISSCC) 에서 발표됐다. <신기성 기자>