일 히타치도 1GD램 개발

일본 히타치제작소가 0.16미크론공정을 사용, 1.5V에서 작동되고 사이클시간 이 4.5나노초인 1GD램을 개발.시험제작했다고 일본 "전파신문"이 최근 보도했다. 이에 따르면 히타치는 향후 고정밀 동화상처리대응 화상메모리등에서 요구되 는 사이클시간의 단축등을 꾀하기위해 분산형 제어방식및 계단파출력회로등 을 새로 개발.채용했다.

이번에 히타치가 시험제작한 1GD램은 엑시머레이저와 위상시프트법에 의한광노광법 전자선직접묘사를 조합해 0.16미크론공정기술을 사용했다. 메모리 셀의 면적은 0.29평방미크론이고 칩면적은 75 이다.

특히 칩내부의 동작사이클단축이 가능한 분산형 제어방식은 메모리셀을 32M 비트단위의 블록으로 나누어 각 블록마다 독자적인 클록신호를 발생시키는 로컬제어회로를 갖게함으로써 사이클시간을 종전보다 약25%가량 단축했다.

<주문정기자>