일본 도시바사가 영국 케임브리지대학과 공동으로 "양자효과"로 불리는 특수 현상을 이용한 차세대 반도체 소자를 시작했다고 "일경산업신문"이 최근 보도했다. 이에 따르면 도시바는 동사가 1백% 출자한 영국의 기초연구소 "도시바 케임 브리지 리서치센터(TCRC)"에서 갈륨비소를 이용한 새로운 구조의 양자소자를 개발했다. 또 도시바는 새로 개발한 구조에 근거한 트랜지스터를 시작, 섭씨 영하 2백 71.6도의 극저온에서 작동을 확인했다.
도시바가 개발한 양자소자는 성질이 조금씩 다른 갈륨비소의 엷은 막을 중첩 하고 그 막의 단면을 따라 전자가 이동하는 구조로 되어 있다. 막의 두께는현재의 기술로도 극히 얇게 만들 수 있기 때문에 양자효과를 제대로 거둘 수있다. 도시바측은 아직 실온에서 이용할 수 있는 기술의 개발 등 과제가 많이 남아있지만 원리적으로는 메모리의 용량에서 현재의 6천4백배, 처리속도에서 5백 배의 성능을 갖는 IC를 실현시킬 수 있다고 밝혔다.
이의실용화는 2000년 이후를 목표로 하고 있다.
반도체 소자를 미세화하는 방법에서 현재 메모리의 경우 1GD램까지의 생산이 한계인 것으로 알려지고 있는데, 이 한계를 극복하기 위해 이용되는 것이 양자효과다. 지금까지의 양자소자는 반도체의 표면을 가공해 미세한 구조를 만드는 방식 을 취하고 있는데 가공이 곤란, 양산이 어려운 상태이다.
도시바가 이번에 개발한 새 구조는 소자를 하나의 기판에 다층조립이 것도가능하고 고집적화에도 유리한 것으로 평가된다. <신기성 기자>
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