일소니, 2M S램 개발

일본 소니사는 기억용량 2M비트의 S램을 개발, 다음달부터 샘플출하한다.

S램은현재 최고 4M제품이 상품화되고 있지만 휴대정보기기용 등에서는 가격 이 높아 수요가 저조한 상태다. 소니는 2M제품출시를 통해 낮은 비용으로 기억용량을 확대하려는 고객의 요구에 대응해 나갈 방침이다.

소니의2M S램은 4M S램에 사용하는 선폭 0.5미크론의 가공기술을 이용해 제조한다. 전원전압은 5V로 데이터유지를 위한 전류를 최대 24 마이크로A로 억제했다. 액세스시간이 85나노초와 1백나노초가 되는 2종이 있으며 샘플 가격 은 9천엔이다.