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삼성전자, 28나노 임베디드플래시 파운드리 신공정 세계 첫 개발

발행일2017.09.07 16:27
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삼성전자가 세계 최초로 28나노 임베디드플래시메모리 위탁생산(파운드리) 공정을 개발했다.

첨단 마이크로컨트롤러(MCU)나 스마트카드 집적회로(IC)에 접목할 수 있다. 자동차, 사물인터넷(IoT) 기기 시장을 공략하는 파운드리 고객사를 대거 유치할 수 있을 것으로 기대된다.

7일 업계에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 반도체 총괄 파운드리사업부는 최근 28나노 임베디드플래시메모리 공정 개발을 마치고 주요 고객사에 이 같은 사실을 알렸다. 임베디드플래시메모리 공정은 MCU 등 시스템 반도체와 플래시메모리를 하나의 칩(Die)에 동시 집적하는 기술이다.

삼성전자는 65나노, 45나노 임베디드플래시메모리 공정 기술로 제품을 생산해 왔다. 이번 신 공정 개발로 시스템반도체에 내장되는 플래시메모리 성능은 50% 높이고 전력 소모량은 20% 낮출 수 있게 됐다. 칩 내에 플래시메모리 셀이 차지하는 면적은 동일 용량인 경우 25%나 줄어든다. 28나노 임베디드플래시메모리 공정 개발은 삼성전자가 세계 최초다.

MCU 등에 플래시메모리를 집적하는 이유는 설계 편의성이 높기 때문이다. 과거 출시된 MCU는 한 번 쓰면 수정이 불가능한 원타임프로그래머블(OTP) 방식이 대다수였다. 읽기만 가능한 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)이 MCU 내에 탑재됐다. 이런 OTP 방식은 중간에 실시간OS(RTOS) 등 구동 소프트웨어(SW)가 변경되면 칩 자체를 바꿔야 하는 불편함이 있었다.

플래시메모리가 들어가면 SW를 쉽게 업그레이드할 수 있다. 자동차에 탑재되는 MCU의 경우 해킹 우려로 OTP 방식이 선호됐지만 최근에는 보안 기능이 강화돼 임베디드플래시메모리 공정 활용도가 높아지고 있다. NXP, 인피니언, ST마이크로 등이 40~55나노 임베디드플래시메모리 공정을 활용해 자동차 또는 IoT용 MCU를 직접 생산하거나 파운드리 업체를 통해 위탁 생산한다.

삼성전자는 최근 개발에 성공해 양산을 준비하고 있는 28나노 임베디드M램 공정과 함께 28나노 임베디드플래시 공정으로 MCU 업체를 고객사로 끌어들이기 위해 영업력을 확대할 방침이다. 이미 세계 1위 자동차 반도체 업체 NXP는 삼성전자 28나노 공정에서 MCU를 생산키로 하고 플래시메모리와 M램을 접목키로 했다.

삼성전자는 이달 15일 일본, 다음 달 18일 독일에서 각각 파운드리 잠재 고객사를 초청한 가운데 파운드리 포럼을 개최하고 임베디드메모리 파운드리 신공정을 집중 소개한다.

한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com

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