어플라이드 머티어리얼즈와 인텔이 인공지능(AI) 반도체용 차세대 공정과 첨단 패키징 기술 개발 협력에 나선다. 트랜지스터와 배선부터 칩을 수직으로 쌓는 3차원(3D) 적층까지 협력해 기술 상용화를 앞당긴다는 계획이다.
어플라이드는 6일(현지시간) 인텔과 차세대 트랜지스터·인터커넥트·첨단 패키징 개발을 위해 협력한다고 밝혔다. 어플라이드의 미국 실리콘밸리 EPIC 센터와 인텔의 오리건주 힐스보로 연구개발 캠퍼스를 거점으로 공동 연구를 진행한다.
양사는 AI 연산용 첨단 로직 공정에 적용할 새로운 소재와 공정 기술, 소자 구조를 개발한다. 트랜지스터 형성 공정뿐만 아니라 칩 내부 배선의 미세화도 협력 범위에 포함된다.
첨단 패키징에서는 인텔의 '포베로스' 기반 3D 적층 기술을 공동 개발한다. 칩 간 연결 밀도를 높이고 전력 공급과 열 성능을 개선해 고성능 컴퓨팅 플랫폼을 지원하는 것이 목표다. 구체적인 투자 규모와 양산 일정은 공개하지 않았다.
AI 반도체의 성능을 높이려면 트랜지스터 미세화와 함께 칩 내부 배선, 전력 공급, 발열 문제를 해결해야 한다. 여러 칩을 수직으로 쌓는 첨단 패키징도 중요해지면서 소재·장비·공정을 함께 최적화할 필요성이 커졌다.
인텔은 EPIC 센터의 창립 파트너로 참여한다. EPIC은 장비업체와 반도체 제조사가 소재·공정·장비 기술을 함께 개발하는 연구 거점으로, 어플라이드는 올해 가동 준비를 마칠 예정이다. 고객사가 차세대 장비와 공정 기술을 조기에 활용하도록 해 연구 성과의 양산 이전 기간을 단축한다는 구상이다.
립부 탄 인텔 최고경영자(CEO)는 “AI 컴퓨팅 수요로 성능과 전력 효율, 패키징의 큰 발전이 필요해지고 있다”며 “EPIC 센터에서 어플라이드와 협력을 확대해 연구실에서 미국 내 대량 생산으로 이어지는 과정을 가속하기를 기대한다”고 밝혔다.
EPIC 센터에는 삼성전자와 SK하이닉스도 참여한다. 어플라이드는 지난 2월 삼성전자의 참여를 발표했으며, 3월에는 SK하이닉스와 차세대 D램·고대역폭메모리(HBM) 개발을 위한 장기 연구개발 협력 계약을 체결했다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
