중국 최대 D램 업체 창신테크놀로지그룹(CXMT)이 차세대 D램 연구개발(R&D)과 후공정 테스트 역량 확대에 총 349억위안(약 7조원)을 투자한다.
29일 상하이증권거래소 공시에 따르면 CXMT는 241억위안 규모 신기술 연구개발 프로젝트와 108억위안 규모 메모리 웨이퍼 후공정 테스트기지 2단계 프로젝트를 추진한다고 공시했다.
기술 R&D 프로젝트는 안후이성 허페이 경제기술개발구에 위치한 12인치 메모리 웨이퍼 생산기지에서 추진한다. 차세대 D램 핵심 기술과 공정을 개발하기 위한 사업이다. 건설기간은 30개월이다.
특히 전체 투자액 241억위안 가운데 223억9800만위안(93%)을 설비 구입에 투입한다. 연구개발을 명목으로 하지만 투자 대부분이 생산·연구 장비 확보에 집중되는 셈이다.
후공정 역량도 확충한다. 창신테크놀로지는 자회사 창신스토리지(허페이)를 통해 허페이시 페이시현에 D램 테스트와 모듈 조립을 담당하는 후공정 테스트 기지 2기를 건설한다. 건설기간은 37개월이다.
조 단위 투자에는 생산 확대에 따른 병목을 선제적으로 해소하려는 판단이 깔려있다. D램 생산 규모와 제품군이 빠르게 확대되면서 외부 패키징·테스트 업체 생산능력만으로는 수요를 감당하기 어려울 수 있어서다.
CXMT는 1세대부터 5세대까지 D램 공정 플랫폼을 양산했으며 제품군도 DDR5와 LPDDR5·LPDDR5X·LPDDR6 등 차세대 D램으로 확대하고 있다.
투자에는 기업공개(IPO)로 확보한 초과모집자금이 활용된다. 이번 투자를 통해 D램 연구개발부터 생산, 테스트·모듈까지 자체 수행하는 종합반도체기업(IDM) 체계를 강화할 방침이다.
신규 프로젝트 투자안은 지난 28일 창신테크놀로지 이사회를 통과했으며 향후 주주총회 승인을 거쳐 추진될 예정이다.
CXMT는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 이어 세계 4위 D램 업체다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 매출 기준 시장점유율은 올해 2분기 10%로, 전년동기(4%) 대비 상승해 처음 두 자릿수에 진입했다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
