삼성전자가 최첨단 NCF 소재를 개발해 현재 양산중인 HBM3에 적용 중이라고 밝혔다.
삼성전자가 27일 2023년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “HBM은 고속 동작하는 특성상 발생 열을 밖으로 잘 방출하도록 칩 간극 조절 기술이 중요한데 NCF는 이에 효과적”이라고 밝혔다. 이어 ”HBM의 경우 12단 적층 제품부터 칩 휘어짐에 의한 기술적 문제 발생 가능성이 있는데 NCF 공정으로 이를 방지할 수 있다.”고 덧붙였다.
김신영 기자 spicyzero@etnews.com
