엘피다, 연내에 45나노 D램 양산 착수

　일본 D램 업체인 엘피다메모리가 연내에 45나노미터 회로선폭의 D램을 양산할 계획이라고 8일 니혼게이자이신문이 보도했다.

　메모리 시장이 본격적인 회복국면에 진입했다고 판단한 엘피다메모리는 공정 미세화를 위해 단계적으로 300억∼400억엔 규모의 설비투자에 나설 예정이다.

　엘피다메모리가 45나노미터 D램 양산을 본격화하면 메모리 생산량은 종전 미세공정에 비해 웨이퍼당 40% 가량이 증가한다.

　회사 측은 삼성전자가 지난 7월 양산을 시작한 제품과 비교해도 5∼10% 정도의 생산효율이 높다고 주장했다. 하지만 실제로는 삼성전자가 7월부터 양산하는 D램은 엘피다메모리보다 미세화 수준이 높은 40나노미터 공정이어서 여전히 엘피다메모리에 비해서 앞서 있다.

　최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr