마쓰시타, 올 12월 0.18마이크론 F램 양산

　마쓰시타가 세계 최초로 회로선폭 0.18마이크론급 F램(Ferroelectric RAM, 강유전체메모리) 양산기술을 확보하는 데 성공했다.

　10일 니혼게이자이신문, EBN 등 외신에 따르면 마쓰시타는 차세대 메모리로 각광받고 있는 F램을 0.18마이크론급 공정에서 양산기술을 확보, 다음달 중 샘플 출하를 개시한다. 이어 12월부터 월 50만개 규모의 양산에 들어가며 2005년까지 월 100만∼200만개 규모로 생산량을 확대한다.

　첫 양산되는 제품은 교통기관의 정기권 등에 사용되는 비접촉식 IC카드용에 쓰일 임베디드 F램이며 기억용량은 8 다. 마쓰시타측은 “이미 교통분야와 IC태그용으로 판매교섭을 진행 중”이라고 밝혔다.

　EBN은 마쓰시타측 말을 인용해 “기존 F램 제품들이 0.35마이크론 공정이었던 점을 고려하면 비약적인 발전”이라며 “이에 따라 셀 크기를 기존 제품에 비해 10% 수준으로 줄이는 데 성공했다”고 보도했다.

　현재 IC카드 등에 정보를 기록하는 반도체는 플래시메모리, EEP롬이 주종을 이루고 있다. 이번 임베디드 F램은 기존 EEP롬 비해 크기가 20%에 불과하지만 응답속도는 5배 빠르며, 1.1V의 저전압으로 움직인다.

　마쓰시타의 후루이케 스스무 전무는 “임베디드 F램 시장은 2010년에 6000억엔(6조원) 규모로 성장할 것”이라고 밝혔다. 마쓰시타는 2007년 이 분야에서 1000억엔의 매출을 목표로 삼고 있다.

　한편 F램은 전원이 끊겨도 기록된 정보가 보존되는 비휘발성 메모리로 고속 기록과 저소비 전력 실현에 유리하다. 삼성전자를 비롯해 일본 후지쯔, 도시바 등이 기초기술을 확립해 상용화를 눈앞에 두고 있다.

　<성호철기자 hcsung@etnews.co.kr>