삼성전자, 초저전력 4Mb 고속 S램 출시

　삼성전자는 동작 전류 80밀리암페어(mA)의 초저전력 고속 S램을 개발, 이달부터 양산에 들어간다고 2일 밝혔다.

　삼성은 이 제품이 △동작 전류가 80mA △데이터 처리시간이 8ns △외부로부터 클록 신호를 받는 과정없이 동작하는 어싱크(async) 방식으로 속도가 빨라 무선 LAN과 무선 휴대기기에서의 데이터 처리속도와 배터리 수명을 높일 수 있다고 설명했다.

　이같은 설명에 따르면 10ns, 160mA인 기존 제품에 비해 전력소모를 절반으로 줄이고 동작속도가 20% 빨라진 셈이다.

　삼성전자는 0.18미크론의 초미세 공정기술을 이 제품에 적용해 생산성을 30% 높였으며 범용 패키지 제품 외에도 제품 크기를 23% 정도 줄인 초소형 칩스케일패키지(CSP) 기술을 적용한 7×9㎜ 제품을 개발했다.

　삼성전자는 이 제품을 노트북PC와 휴대폰용은 물론 네트워크장비 기지국 모뎀 등 각종 무선 시스템의 버퍼 메모리로 공급할 예정이다.

　삼성전자는 이 제품으로 내년 어싱크 고속 S램 시장의 35%를 점유해 S램 세계 1위를 더욱 공고히 할 계획이다.

　<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>