미쓰비시·마쓰시타, 회로선폭 0.1미크론 시스템LSI 제조기술 공동 개발

　일본 미쓰비시전기와 마쓰시타전기산업이 미세한 회로를 배선할 수 있는 디지털가전용 시스템LSI 제조기술을 공동개발했다고 일본경제신문이 보도했다.

　특히 두 회사는 이번 개발에서 각사의 장점 기술을 결합해 시스템LSI에서는 처음으로 회로선폭을 0.1미크론까지 가늘게 하는 데 성공했다.

　시스템LSI는 마이크로컨트롤로(MCU)나 메모리 등 복수의 IC를 하나의 칩에 혼재한 전자부품이다. 개별 칩에서 같은 기능을 실현하는 방법에 비해 소비전력을 낮출 수 있을 뿐 아니라 기판의 소형화도 가능하기 때문에 휴대 단말기용 등으로 시장이 급성장하는 추세다.

　양사의 신기술은 배선에 사용하는 금속을 알루미늄에서 동(銅)으로 바꾸거나 새로운 절연막 재료를 사용해 미세화로 인해 회로 내 저항이 늘어나는 현상을 억제했다. 또 구조도 개선, 트랜지스터에서 전원이 꺼진 상태에도 전류가 흐르는 문제를 해결했다.

　미쓰비시와 마쓰시타는 지난 98년 12월 디지털가전용 시스템LSI 기술을 공동개발키로 합의했는데 이번 개발은 그 결과물이다. 특히 이번에 당초 목표였던 선폭 0.1미크론의 제조기술이 실현됨으로써 양사의 공동개발은 올해 말로 완료될 전망이다. 앞으로 양사는 이 신기술을 각각의 제품에 응용해 나갈 것으로 예상된다.

　<신기성기자 ksshin@etnews.co.kr>