니콘, F2 스테퍼 2003년 제품화

　일본 최대 스테퍼업체인 니콘이 0.1∼0.07㎛의 반도체회로 배선패턴을 형성할 수 있는 불소다이머(F₂)레이저 스테퍼를 오는 2003년까지 제품화한다고 「일경산업신문」이 보도했다.

　F₂ 스테퍼는 파장 1백70㎚의 레이저를 광원으로 하는 장치로 기술적으로는 현재 주류인 불화크립톤(KrF)과 차세대형인 불화아르곤(ArF) 엑시머레이저 스테퍼의 연장선상에 있다.

　니콘은 이 F₂ 스테퍼를 이미 마무리 개발단계에 들어간 전자빔(EB) 스테퍼와 함께 포스트 엑시머 스테퍼로 시장에 내놓을 계획인데 두 가지 방식의 스테퍼를 출하함으로써 점유율을 높이는 동시에 사업 위험을 최소화할 방침이다.

　니콘은 오는 2001년까지 F₂ 스테퍼 제품화에 필요한 축소투영광학계의 핵심기술을 확립하고 2003년 연구개발용, 2005년에는 양산설비용으로 출하할 계획이다.

　F₂ 스테퍼는 핵심기술이 기존 노광기술의 연장선상에 있기 때문에 처리능력이 KrF·ArF과 비슷한 2백㎜웨이퍼 환산 시간당 90∼1백장 정도로 비교적 높은 편이나 같은 이유로 배선폭은 0.07㎛급이 한계다.

　이에 반해 EB 스테퍼는 선폭 0.1∼0.05㎛까지 대응할 수 있으나 처리능력은 현시점에서는 시간당 40장 정도가 한계다.

　세계 반도체업체들이 포스트엑시머 스테퍼로 EB와 F₂ 가운데 어느것을 선택할지는 아직 미정이나 현시점에서는 ArF에서 F₂를 거쳐 EB로 진행되는 경우와 EB 스테퍼의 처리능력 향상으로 ArF에서 바로 EB로 이행되는 경우를 가정할 수 있다. 이 때문에 니콘은 두가지 방식의 스테퍼를 모두 개발, 출시하기로 결정한 것이다.

　니콘의 반도체제조장비사업 부문은 회사 전체 매출의 50% 정도를 차지하는데 특히 스테퍼에 가장 큰 비중을 두고 있어 스테퍼의 판매동향이 전체 실적을 좌우한다.

　따라서 니콘으로서는 포스트형 스테퍼 개발투자비가 다소 중복되더라도 두 방식의 스테퍼를 모두 개발해 리스크를 최소화하고 점유율을 확대함으로써 중장기적으로 스테퍼사업을 안정시킬 필요가 있다고 판단한 것이다.

　한편 스테퍼는 반도체의 고속·대용량화에 맞춰 가공기술의 미세화가 진행돼왔는데 주요 반도체인 D램 선폭의 경우 현재 0.25㎛에서 0.18㎛으로 이행하는 단계에 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>