마쓰시타전자, Fe램 관련 특허

일본 마쓰시타전자가 불휘발성 강유전체 메모리(Fe램) 관련 주요 특허 10건을 미국에서 획득했다.

「日本經濟新聞」에 따르면 마쓰시타전자는 최근 자사의 Fe램 관련 특허를 미국에서 획득했다고 발표하면서 앞으로 자사 특허에 저촉되는 Fe램 회로구조를 채용하고 있는 업체들을 상대로 무단 사용금지를 경고해 나갈 계획이라고 밝혔다.

이번에 마쓰시타전자가 획득한 특허는 같은 방식의 양산기술을 채용하고 있는 도시바, 지멘스는 물론 다른 방식을 택하고 있는 롬, 히타치제작소 등에도 적지 않은 영향을 미칠 것으로 보인다.

마쓰시타전자는 미국 신메트릭스사가 개발한 Y-1방식의 Fe램을 개발 중인데 현재 회로구조, 미세가공부문 등과 관련해 2백건의 특허를 미국과 일본에 출원해 놓고 있다. 이 가운데 셀(메모리 내부 기본단위) 및 회로구조 등과 관련한 10건의 특허가 이번에 미국에서 성립된 것으로, 앞으로 일본에서의 특허 취득도 가능할 것으로 보인다.

마쓰시타전자측은 NEC 등 Y-1방식의 개발을 추진하고 있는 업체들의 자료를 분석한 결과 『(이들업체들의 기술이) 이번 미국에서 취득한 특허에 많이 저촉되고 있다』고 주장하면서, 앞으로 무단 사용업체들에 대해 제품화 단계에서 경고하는 동시에 기술의 라이센스 교섭도 추진할 계획이라고 밝혔다.

Fe램 업계는 정보의 기록회로 방식에 따라 램크론사 진영과 신메트릭스사 진영으로 나뉜다. 램크론사 방식은 롬, 히타치제작소, 도시바가, 신메크릭스사 방식은 마쓰시타전자, NEC, 독일의 지멘스 등이 채용하고 있다. 현재 실용화 기술면에서는 램트론사 방식이 앞선 상태로, 이미 롬 등은 양산 출하에 들어갔다.

Fe램은 차세대 메모리로 부상하고 있는 제품으로 현재 PC용 주력 메모리로 자리잡고 있는 D램과 달리 전원을 끊어도 기록된 정보를 그대로 보존한다는 특징이 있다.

또 같은 불휘발성이라는 특징을 갖고 있는 플래시메모리와 비교해서는 속도가 1백배, 데이터고쳐쓰기 가능 빈도수가 1천만배에 이른다. 이 때문에 Fe램은 D램 대체용으로 오는 2천10년 시장규모가 3조엔에 이를 것으로 예상되고 있다.

<심규호 기자>