日히타치.미쯔비시-美TI, 1GD램 공동 개발

히타치제작소, TI, 미쓰비시電機 등 미일 반도체 3社가 2000년께 실용화를 목표로 1GD램을 공동으로 개발한다.

「日本經濟新聞」 최근 보도에 따르면 3사는 지금까지 개별적으로 추진해 온 1GD램 개발과 관련해 요소기술별로 역할을 분담, 공동으로 추진해 나간다는 것이다. 3사는 99년께 제품화를 목표로 한다. 1천억엔 이상이 소요될 것으로 보이는 개발 비용을 균등하게 분담, 사업리스크를 줄인다. 이에 따라 개발 성과와 특허 등도 공유하게 된다.

히타치와 TI는 지난 88년이후 16.64, 2백56MD램 등을 공동으로 개발해 왔다. 1GD램의 경우 MD램급에 비해 상대적으로 많은 개발비가 소요된다고 판단, 양사는 미쓰비시를 끌어들였다.

지난해 D램가격의 하락으로 채산성이 악화되면서 일본 반도체업체들이 잇따라 D램 비율 축소와 비 D램사업 강화를 표명하고 나섰다. 이 때문에 D램부문에 대한 투자는 갈수록 위축되고 있는데, 이번 3사의 제휴도 이와 맥락을 같이 한다고 볼 수 있다.

현재 1GD램 개발에는 도시바, IBM, 지멘스, 모토롤러 등 4사가 연합을 결성했고, 루센트테크놀로지와 NEC도 1G급 개발에 필요한 미세가공기술에서 협력관계를 맺고 있다. 여기에 히타치, TI, 미쓰비시가 연합 결성을 발표함에 따라 현재 독자적인 행보를 걷고 있는 후지쯔, 마쓰시타電子 등의 D램 개발전략에도 변화가 생길 가능성이 점쳐지고 있다.

이와 관련해 후지쯔의 한 관계자는 『서로 다른 D램 기술을 하나로 통일하는 작업은 생각만큼 용이한 것이 아니다. 공동개발의 메리트는 그다지 높지 않을 것이다』며 공동개발성과에 의문을 제기했다.

<심규호 기자>