日 후지쯔, 메모리반도체 생산라인 98년까지 8인치로 개조

일본 후지쯔가 메모리반도체 생산라인을 전면 8인치용으로 개조한다.

10일 「日經産業新聞」보도에 따르면 후지쯔는 메모리반도체의 생산성을높이기 위해 기존공장의 6인치웨이퍼라인을 98년 말까지 모두 8인치라인으로개조하기로 했다.

그 대상은 자국내의 이와테 및 미에공장, 미국 그레샴공장, 영국 다람공장이고 개조에 소요되는 비용은 1개 공장당 2백억∼3백억엔으로 예상된다고 이신문은 전했다.

이에 따라 후지쯔는 대상공장의 제조장비를 모두 교체할 뿐 아니라 미세가공기술도 최첨단으로 전환할 방침이다.

반도체업체들이 첨단공장에서 8인치라인을 가동시키고 있지만 모든 라인의8인치화 계획을 확정한 것은 후지쯔가 처음이다. 현재 반도체업계는 메모리가격의 하락으로 고수익의 유지가 어렵게 돼 신규투자의 지속을 위해서도 기존공장 개조가 불가피한 상황이다.

이번 결정에 따라 후지쯔는 우선 이와테와 미에 등 2개 공장을 대상으로라인의 8인치화에 착수할 예정이다.

대형화하는 웨이퍼의 반송시스템이나 스테퍼(逐次移動式露光장치) 등 대부분의 제조장치를 교체하고 미세가공기술의 선폭도 0.35로 대체한다. 현재 이회사는 6인치라인에서는 선폭 0.65미크론이나 0.5의 미세가공기술을 이용, 1MD램 및 4MD램을 생산하고 있다.

<신기성 기자>