일본반도체업체 해외생산 강화

일본 반도체업체들은 올해에도 세계화전략의 일환으로 해외 생산능력을 강화 할 것으로 보인다. NEC는 지난해 미국내 생산거점을 중심으로 증산에 나서고있으며 후지쯔, 히타치제작소 등도 미국.영국 등지에서 생산력 증강을 계획, 추진할 예정이다.

이들의움직임은 대체로 미국.유럽지역에서는 일관생산을, 동남아시아지역에 서는 조립생산을 기조로 해서 생산능력을 증강하는 특징을 나타내고 있다.

또이들은 0.5미크론프로세스의 최신기술을 갖춘 공장에서는 4MD램과 16MD램 라인의 겸용화를, 1.0미크론급의 제조설비에서는 서브미크론(0.8미크론 정도 화를 추진하면서 생산품목을 마이크로컨트롤러(MCU), ASIC(주문형반도체)로 교체해 나갈 것으로 보인다.

이결과 일본을 대표하는 반도체관련 대형9개업체의 올해도 해외생산 비율은 지난해에 비해 크게 증가할 전망이다. 4개사 정도가 5% 포인트이상, 나머지5개사도 1~4% 포인트정도 상승할 것으로 예상된다.

이와함께 이들 업체는 장래 유망시장으로 기대되고 있는 중국에서의 현지생산에 대해서도 적극적인 움직임을 보일 전망이다. NEC등 3개 업체가 생산에 착수 했거나 생산을 개시할 예정으로 있고 다른 3개 업체들도 생산을 긍정적 으로 검토중이다.

일본업체들은금년도 세계반도체시황이 동남아시아지역에서는 호조를 보이고 유럽지역도 회복기조를 나타낼 것으로 진단하고 있다. 따라서 이들의 해외생 산력증강은 엔고를 배경으로 수요확대에 대응한 해외시장에서의 탄력적인 대응을 지향하고 있다.

일본업체들이자국내는 물론 해외생산거점에서 증산에 착수한 것은 4MD램 등 메모리의 수요가 급증하면서부터다. 그 이전까지 이들은 설비 투자를 억제해 왔다. NEC는 미로스빌공장에서 올 여름까지 월산 3만매의 웨이퍼 생산 능력을 갖출예정이고 여기에 내년 3월까지 월산 2만3천매의 새 라인을 추가할 계획이다.

또NEC는 영국 스코틀랜드공장의 생산설비를 쇄신할 방침이다. 0.8 미크론에 서 0.5미크론으로 미세화를 추진, 4MD램의 생산능력을 월 2백 만개에서 월 2백50만개로 늘릴 예정이다. 뿐만 아니라 16MD램의 생산도 추진할 계획이다.

히타치는 우선 독일 바이에른공장의 생산능력을 증강, 4MD램이나 16MD램 어느 제품의 증산에도 대처할 수 있게 할 방침이다.

히타치는또 미국 텍사스공장의 생산능력도 현재보다 20%정도 증강할 계획 이다. 4MD램의 증산과 함께 해외수출을 겨냥한 원칩 마이크로컨트롤러 "H8시 리즈"의 생산도 오는 봄부터 개시할 예정이다. 마이크로컨트롤러의 생산에서 는 4MD램의 수급균형상태에 따라 탄력적으로 대응해 나갈 계획이다.

후지쯔는영국다람공장에 0.5미크론설비를 도입, 저전압작동의 4MD램과 다비 트구성 제품의 양산에 착수할 예정이다. 금년 7, 8월이후에는 16MD램 제품의 생산도 개시할 예정이다.

또한후지쯔는 조립생산을 주로 말레이시아공장에서 실시할 계획이다. 해외 에서의 증산에 맞춰 20억~30억엔을 투입, 금년에도 조립생산능력을 대폭 확충할 계획이다.

이밖에미쓰비시 전기는 미노스캐롤라이나공장에 1.0미크론에서 0.8미크론급 에 대응할 수 있는 설비를 도입할 예정이다. 동시에 현재 양산중인 1MD 램을 순차적으로 ASIC이나 마이크로컨트롤러로 교체해 나갈 방침이다.

이처럼 일본반도체업체들은 올해에 해외시장에서의 수요확대와 엔고 기조를 배경으로 해외에서 세계적 규모의 제조.공급체제를 확립하기 위해 총력을 기울일 것으로 예상된다. 또한 일본의 가전.정보.통신기기업체들이 앞다퉈 진출하고 있는 중국시장에서도 주요반도체업체들은 이에 대응, 생산의 현지 화에 적극성을 띨 것으로 보인다.<신기성 기자>