한화세미텍이 최근 2세대 하이브리드본더 'SHB2 나노'의 개발을 마치고 올해 상반기 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 25일 밝혔다.
이는 지난 2022년 1세대 하이브리드본더를 고객사에 납품한 이후 4년 만이다.
하이브리드본더는 인공지능(AI) 반도체 고대역폭 메모리(HBM)의 성능과 생산 효율을 획기적으로 끌어올릴 차세대 기술로 주목받고 있다.
칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합할 수 있어 16∼20단의 고적층 HBM도 얇은 두께로 제조할 수 있다. 칩 사이사이 범프(Bump·납과 같은 전도성 돌기)가 없어 기존 제품 대비 데이터 전송 속도가 빠르고 전력 소모도 적다.
한화세미텍의 SHB2 나노에는 위치 오차범위 0.1㎛(마이크로미터) 단위의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 0.1㎛는 머리카락 굵기의 약 1000분의 1 수준이다.
한화세미텍 관계자는 “첨단 기술 개발에 대한 지속적인 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다”면서 “이번 신기술 개발로 첨단 패키징 시장을 선도할 수 있는 또 다른 발판이 마련됐다”고 말했다.
박유민 기자 newmin@etnews.com
