전력반도체용 실리콘카바이드(SiC) 소재사 쎄닉은 미국 헤일로와 웨이퍼 가공 업무협약(MOU)을 체결했다고 30일 밝혔다.
헤일로는 SiC와 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 가공 전문기업으로, 쎄닉과 제품 출시 시간 단축 및 소요 비용 절감을 위해 협업할 예정이다.
구갑렬 쎄닉 대표는 “헤일로와 긴밀한 협력을 통해 개발 완료된 150밀리미터(㎜) SiC 웨이퍼와 개발 중인 200㎜ 웨이퍼 가공 품질 개선 및 원가 절감을 추진하겠다”고 말했다.
이호길 기자 eagles@etnews.com
