에이프로세미콘이 DB하이텍과 차세대 질화갈륨(GaN) 전력반도체 파운드리 공정 기술을 개발한다. GaN는 차세대 전력반도체 소재로 꼽힌다.

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<임종현 에이프로세미콘 대표(왼쪽)와 조기석 DB하이텍 부사장이 GaN 전력반도체 파운드리 공정기술 개발 업무협약 체결후 기념촬영했다.>

에이프로세미콘이 22일 DB하이텍과 경기도 군포시 에이프로 본사에서 GaN 파운드리(위탁생산) 공정 기술 개발을 위한 양해각서(MOU)를 교환했다. GaN 전력반도체 생산을 위한 8인치 공정 기술이다. GaN 반도체 시장은 미국, 유럽, 일본이 주도하고 있다. 현재 4인치를 필두로 6인치, 8인치 GaN 반도체 개발이 한창이다.

에이프로세미콘은 DB하이텍과 8인치 GaN 반도체 공정을 개발한다. 2024년까지 GaN 반도체 양산을 위한 기술 개발을 완료한다. 4인치, 6인치보다 큰 8인치 전력반도체 생산을 위한 소재·부품·장비(소부장) 협력한다. 에이프로세미콘이 GaN 기초 소재인 에피 웨이퍼를, 에이프로는 장비 협력을 추진할 것으로 전망된다.

에이프로 관계자는 “국내 8인치 파운드리 대표 기업과 협약을 맺게 돼 매우 기쁘게 생각한다”며 “GaN 기술력을 바탕으로 GaN 전력반도체 시너지를 발휘할 수 있는 좋은 기회를 만들겠다”고 말했다.

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<에이프로세미콘이 8인치 질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼 양산을 개시했다. 에이프로세미콘 엔지니어가 8인치 GaN 웨이퍼 샘플을 들고 기념촬영했다>

에이프로세미콘 GaN 공정 기술 협력은 차세대 전력반도체 제조 기술력을 확보했기 때문이다. DB하이텍 8인치 반도체 공정 장비 호환성을 활용해 향후 안정적인 파운드리 생산 능력을 확보할 수 있을 것으로 예상된다. 에이프로세미콘은 반도체 팹리스(설계전문) 업체지만 GaN 에피 웨이퍼 제조 기술과 GaN 전력반도체 공정 기술을 보유하고 있다. DB하이텍과 GaN 전력반도체 공정 기술을 통해 안정적 생산 능력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다.


DB하이텍은 에이프로세미콘 에피 웨이퍼를 구매, 사용할 예정이다. GaN 에피 웨이퍼는 해외 수입 의존이 심각한 핵심 소재다. 기존 웨이퍼보다 고도화된 기술이 필수로 요구된다. 에이프로세미콘은 에피 웨이퍼를 직접 생산하기 위한 에피 웨이퍼 제조 장비(MOCVD)를 국내 도입해 생산을 시작했다. 시장 조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 시장은 올해 2억7000만달러에서 2027년 20억 달러 규모로 연평균 49% 고성장을 보이고 있다. DB하이텍 관계자는 “에이프로세미콘과 협력해 미래 성장 동력을 확보하고 급성장하는 차세대 고부가 전력반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련했다”라고 밝혔다. 에이프로와 DB하이텍은 전력반도체 공급망을 구축하고 GaN 전력반도체 국산화로 매출 확대 등 시너지를 확대한다.


김지웅기자 jw0316@etnews.com