매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 '매그나칩')는 태양광 인버터에 특화된 650V 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT: Insulated-gate bipolar transistors)를 출시했다고 밝혔다.
기후변화로 인한 환경문제가 심각해지면서 탄소배출 저감을 위해 태양광과 같은 신재생에너지 보급이 전 세계적으로 확대되고 있다. 시장조사업체 옴디아의 데이터에 따르면, 2022년부터 2025년까지 전 세계 재생 에너지 시장에서 IGBT 분야는 연평균 15% 성장할 것으로 예측된다. 지난 3월, 매그나칩은 최신 필드 스톱 트렌치 (Field stop trench) 기술을 기반으로 빠른 스위칭 기능과 높은 항복 전압을 가진 650V IGBT를 개발했고, 이번 달부터 본격적인 양산에 들어간다.
이번 IGBT 신제품은 매그나칩의 최신 설계를 적용하여 이전 세대와 비교해 전류 밀도가 30% 개선되었다. 또한, 최소 5μs 이상의 단락 회로 시간을 견디도록 설계되었고, 양온도 계수 특성으로 병렬 스위칭에 최적화되어 있다. 이러한 병렬 스위칭을 통해 부하 전류와 최대 출력 전력이 함께 증가하게 된다.
또한, 이번 제품에는 고속 역병렬 다이오드가 결합되어 스위칭 속도를 높여 손실을 줄이고, 최대 175°C의 동작 온도 범위를 보장한다. 이 제품은 국제반도체표준협의기구인 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)의 표준 규격을 준수하여 태양광 인버터와 컨버터를 비롯한 UPS, 범용 인버터 등 엄격한 전력 등급과 높은 효율성이 요구되는 애플리케이션에 광범위하게 적용될 수 있다.
김영준 매그나칩 대표이사는 "매그나칩은 2013년 IGBT 제품을 처음으로 출시한 이후, 다양한 애플리케이션에 적용되는 고효율 제품을 개발해왔다"며, "앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 고성능 제품을 개발하고 재생 에너지 시장에 더욱 많은 발전의 기회를 제공할 것"이라고 전했다.
전자신문인터넷 서희원 기자 (shw@etnews.com)
